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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有双激子量子限域层的半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116526297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310640455.9，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种具有双激子量子限域层的半导体激光器是由李水清;王星河;张江勇;陈婉君;蔡鑫;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双激子量子限域层的半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有双激子量子限域层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下波导层、有源层和上波导层组成双激子量子限域层，有源层的阱层的厚度大于所述垒层的厚度，双激子量子限域层的Si掺杂浓度和In含量均在所述有源层达到峰值。本发明能够降低有源层In偏析，改善In组分涨落，降低激光器价带带接，增强空穴注入和空穴输运效率，使有源层的电子波函数振幅小于波尔激子半径，限低折射率色散，产生量子限域效应和双激子光学增益，增强量子态分裂以及抑制俄歇衰减，增强双激子发射效率，从而降低激光器的阈值，延长激光器的增益寿命，提升激光功率。

本发明授权一种具有双激子量子限域层的半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有双激子量子限域层的半导体激光器，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下波导层、有源层和上波导层组成双激子量子限域层，所述双激子量子限域层的有源层为由阱层和垒层组成的周期性结构，且所述阱层的厚度大于所述垒层的厚度，所述双激子量子限域层的Si掺杂浓度和In含量均在所述有源层达到峰值； 所述双激子量子限域层的有源层的阱层厚度为a:40≤a≤80埃米，垒层厚度为b:10≤b≤40埃米； 所述双激子量子限域层的下波导层的Si掺杂浓度为1E16cm-3至5E17cm-3，双激子量子限域层的有源层的Si掺杂浓度为5E18cm-3至5E19cm-3，双激子量子限域层的上波导层的Si掺杂浓度为1E15cm-3至5E17cm-3； 所述双激子量子限域层的下波导层的In含量为5E19a.u.至5E20a.u.，所述双激子量子限域层的有源层的In含量为5E19a.u.至5E21a.u.，双激子量子限域层的上波导层的In含量为5E18a.u.至5E19a.u.。

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