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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种电致变发射率结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116338987B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310234232.2，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种电致变发射率结构是由张翔;张虎林;李垚;赵九蓬设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电致变发射率结构在说明书摘要公布了：本发明涉及电致变发射率结构技术领域，特别涉及一种电致变发射率结构。本发明实施例提供了一种电致变发射率结构，沿厚度方向依次包括反射层、绝缘层和调节层，反射层用于反射红外光，反射层的制备材料包括导体和半导体，调节层的制备材料包括具有红外半透明性质的导体或半导体，反射层和调节层分别连接电源的两个电极，电极电压可调节；调节层和反射层之间形成光学谐振腔结构，光学谐振腔用于调控红外光的吸收，通过调节电源的电压改变调节层的红外透过率和吸收率，以调节进入光学谐振腔结构的红外光的多少，进而调节电致变发射率结构的红外光发射率。本发明实施例提供了一种电致变发射率结构，能够提供一种针对红外波段发射率可调节的结构。

本发明授权一种电致变发射率结构在权利要求书中公布了：1.一种电致变发射率结构，其特征在于，沿厚度方向依次包括反射层、绝缘层和调节层，所述反射层用于反射红外光，所述反射层的制备材料包括导体或半导体，所述调节层的制备材料包括具有红外半透明性质的导体或半导体，所述反射层和所述调节层分别连接电源的两个电极，所述电极电压可调节； 所述调节层和所述反射层之间形成光学谐振腔结构，所述光学谐振腔用于调节红外光的吸收，通过调节所述电源的电压改变所述调节层的红外透过率和吸收率，以调节进入所述光学谐振腔结构的红外光的多少，进而调节电致变发射率结构的红外光发射率； 所述调节层的制备材料包括铟锡氧化物、掺氟氧化锡、氧化钛、氧化锌、掺锌氧化铝或石墨烯中的一种或几种组合； 所述反射层厚度为150~250nm，所述绝缘层厚度为500~800nm，所述调节层厚度为500~800nm； 所述电源正极连接所述调节层施加正偏压时，所述电致变发射率结构的红外发射率增加，所述电源负极连接所述调节层施加负偏压时，所述电致变发射率结构的红外发射率减少； 或， 所述反射层厚度为150~250nm，所述绝缘层厚度为150~250nm，所述调节层厚度为45~80nm； 所述电源正极连接所述调节层施加正偏压时，所述电致变发射率结构的红外发射率减少，所述电源负极连接所述调节层施加负偏压时，所述电致变发射率结构的红外发射率增加。

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