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龙图腾网获悉东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所申请的专利一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116317488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310309861.7，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路是由孙伟锋;周子焱;王宇帆;钱钦松;时龙兴设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路在说明书摘要公布了：本发明是一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其中，第一MOSFET和第二MOSFET构成一个半桥，半桥中点连接至变压器的原边的同名端，并且通过桥臂中点连接至主拓扑栅极驱动器第四开关管栅极；第三MOSFET和第四MOSFET同样构成一个半桥，半桥中点通过端口连接至变压器的原边的非同名端，并且连接至主拓扑栅极驱动器的第二开关管栅极；主拓扑栅极驱动器的第四开关管的栅极寄生电容视为并联在第二MOSFET的两端，主拓扑栅极驱动器的第二开关管的栅极寄生电容视为并联在第四MOSFET的两端。解决了现有谐振栅极驱动方案存在的驱动损耗高、控制复杂且死区不可控、磁性和开关元件较多、驱动电流小和无法实现多路驱动的技术问题。

本发明授权一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其特征在于，该驱动电路由四个金属氧化物半导体场效应管MOSFET和隔离式变压器构成；其中，第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2构成一个半桥，半桥中点连接至变压器的原边P1的同名端，并且通过桥臂中点连接至主拓扑栅极驱动器第四开关管S4栅极；第三MOSFETQ3和第四MOSFETQ4同样构成一个半桥，半桥中点通过端口连接至变压器的原边P1的非同名端，并且连接至主拓扑栅极驱动器的第二开关管S2栅极；主拓扑栅极驱动器的第四开关管S4的栅极寄生电容视为并联在第二MOSFETQ2的两端，主拓扑栅极驱动器的第二开关管S2的栅极寄生电容视为并联在第四MOSFETQ4的两端； 所述的变压器，其第一副边P2、第二副边P3设置线圈实现浮地驱动，实现多个隔离驱动设计，当两个互补的隔离驱动时，副边设计两个线圈，其上端线圈的同名端接在主拓扑的第一开关管S1的栅极寄生电容，非同名端与该栅极寄生电容另一端相接浮地；副边下端线圈的非同名端接在主拓扑的第三开关管S3的栅极寄生电容，同名端和该栅极寄生电容另一端相接浮地； 所述的四个MOSFET的栅极输入信号通过数字信号处理芯片发出信号，再经过主拓扑栅极驱动器来产生；其中，第一MOSFETQ1和第二MOSFETQ2互补导通，第三MOSFETQ3和第四MOSFETQ4互补导通。

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