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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利超结器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111495334.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权超结器件及其制造方法是由肖胜安;曾大杰;干超设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超结器件，超结器件的位于有源区中的结构包括：平面栅结构，形成在各第一导电类型柱的顶部，平面栅结构由第一栅介质层和第一栅极导电材料层叠加而成；同一原胞内具有两个平面栅结构，两个平面栅结构的第一栅介质层之间设置有第二栅介质层；第二阱区，由以平面栅结构的第一侧面为自对准条件的第二导电类型的离子注入区经过退火处理后组成；第二阱区在退火处理的作用下横向扩散到平面栅结构的底部区域；沟道区由被平面栅结构覆盖第二阱区组成，第二阱区和平面栅结构之间的自对准结构用于提高器件的一致性。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高器件的一致性，还能降低Cgd。

本发明授权超结器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结器件，其特征在于，包括： 在半导体衬底中形成有超结结构，所述超结结构由多个第一导电类型柱和第二导电类型柱交替排列形成，超结单元由一个所述第一导电类型柱和相邻的一个所述第二导电类型柱组成； 超结器件的位于有源区中的结构包括： 平面栅结构，形成在各所述第一导电类型柱的顶部，所述平面栅结构由第一栅介质层和第一栅极导电材料层叠加而成； 同一原胞内具有两个所述平面栅结构，两个所述平面栅结构的所述第一栅介质层之间设置有第二栅介质层； 各所述平面栅结构的第一侧面靠近所述第二导电类型柱，各所述平面栅结构的第二侧面靠近所述第一导电类型柱的中间区域； 第二阱区，由以所述平面栅结构的第一侧面为自对准条件的第二导电类型的离子注入区经过退火处理后组成；所述第二阱区在退火处理的作用下横向扩散到所述平面栅结构的底部区域； 沟道区由被所述平面栅结构覆盖的所述第二阱区组成，所述第二阱区和所述平面栅结构之间的自对准结构用于提高器件的一致性； 第一导电类型掺杂的漂移区的表面部分位于所述沟道区之间，所述第二栅介质层覆盖在所述漂移区部分表面上，所述第二栅介质层的厚度大于所述第一栅介质层的厚度，用于降低器件的栅漏电容； 所述超结器件的位于所述有源区中的结构还包括： 第一阱区，由形成于各所述第二导电类型柱顶部的第二导电类型的离子注入区组成，所述第一阱区的形成区域通过光刻定义； 在横向上，所述第一阱区和所述平面栅结构的第一侧面之间具有间距、所述第一阱区和所述平面栅结构的第一侧面之间对齐或者所述第一阱区会延伸到所述平面栅结构的底部； 体区由所述第一阱区和所述第二阱区纵向叠加而成，所述第一阱区的结深大于所述第二阱区的结深以及所述第一阱区的掺杂浓度小于所述第二阱区的掺杂浓度，用于降低器件的漏电流。

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