桂林电子科技大学郭玲获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种高吸收超宽带太阳能吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116299802B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310235178.3，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种高吸收超宽带太阳能吸收器是由郭玲;石敏芳;柳亚捷;叶帆风;梁文彬;马峻设计研发完成，并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高吸收超宽带太阳能吸收器在说明书摘要公布了：本发明涉及金属微纳光学器件技术领域，尤其涉及一种高吸收超宽带太阳能吸收器，包括若干组纳米复合结构、金属钛薄膜、一维PMMA光栅结构和金属钛衬底，纳米复合结构、金属钛薄膜、一维PMMA光栅结构和金属钛衬底从上至下依次设置，通过纳米圆盘结构和纳米椭圆盘结构复合，可以激发局域表面等离子体共振模式，从而改善短波长范围内的吸收；此外通过引入一维PMMA光栅结构，在一维PMMA光栅结构处可以激发新的且强度更强的局域表面等离子体共振模式，从而提高长波长范围内的吸收，达到拓宽带宽的效果。
本发明授权一种高吸收超宽带太阳能吸收器在权利要求书中公布了：1.一种高吸收超宽带太阳能吸收器，其特征在于， 包括若干组纳米复合结构、金属钛薄膜、一维PMMA光栅结构和金属钛衬底，所述纳米复合结构、所述金属钛薄膜、所述一维PMMA光栅结构和所述金属钛衬底从上至下依次设置，若干组所述纳米复合结构沿水平方向呈周期性阵列设置，其中X轴方向的周期为P1，Y轴方向的周期为P2，P1和P2数值范围均为450～550nm； 每组所述纳米复合结构包括两个纳米圆盘结构和两个纳米椭圆盘结构，两个所述纳米圆盘结构和两个所述纳米椭圆盘结构均以所述纳米复合结构的中心Z轴为轴呈对称布置，所述纳米圆盘结构沿水平方向的投影为圆形，所述纳米椭圆盘结构沿水平方向的投影为椭圆形设置； 在竖直方向上，所述一维PMMA光栅结构设置在所述金属钛衬底上，分设为两层，第一层厚度h1范围值为100～150nm，第二层厚度h2范围值为50～100nm，所述金属钛薄膜覆盖在所述一维PMMA光栅结构的上方，金属钛薄膜厚度h3范围值为10～15nm，PMMA的折射率为定值1.47。
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