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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116261329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310037699.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件是由傅昭伦;陈孝炳设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体器件，包括：衬底、支撑层和多个下电极；在支撑层和多个下电极的一个俯视图中，多个下电极在第一方向与第二方向彼此相互分离排列，同一列下电极在第二方向对准设置，任意相邻两列下电极在第一方向错位排列；在俯视图中，存在最边缘的连续四列下电极，其按照由外朝内的方向依次为第一列下电极、第二列下电极、第三列下电极和第四列下电极，第一列下电极具有第一底部位置，第二列下电极具有第二底部位置，第三列下电极具有第三底部位置，第四列下电极具有第四底部位置；其中，第一底位置与第三底位置在第一方向彼此对齐，第四底位置低于第一底部位置，第二底位置高于第一底位置。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底1、支撑层3和多个下电极2；其特征在于， 在所述支撑层3和所述多个下电极2的一个俯视图中，所述多个下电极2在第一方向与第二方向彼此相互分离排列，同一列下电极2在第二方向对准设置，任意相邻两列下电极2在第一方向错位排列； 在所述俯视图中，存在最边缘的连续四列下电极2，其按照由外朝内的方向依次为第一列下电极2、第二列下电极2、第三列下电极2和第四列下电极2，所述第一列下电极2具有第一底部位置，所述第二列下电极2具有第二底部位置，所述第三列下电极2具有第三底部位置，所述第四列下电极2具有第四底部位置； 其中，所述第一底部位置与第三底部位置在第一方向彼此对齐，所述第四底部位置低于所述第一底部位置，所述第二底部位置高于所述第一底部位置； 在所述俯视图中，每一列下电极2的底部位置的连线为波浪形连线，所述波浪形连线的波峰在第一方向上彼此对齐，所述波浪形连线的波谷在第一方向上彼此对齐，所述支撑层3具有波浪形下边界，所述波浪形下边界的波峰与所述波浪形连线的波峰在第二方向上对齐，所述波浪形下边界的波谷与所述波浪形连线的波谷在第二方向上对齐，所述支撑层3的外边界形状与所述下电极2的外轮廓的形状相适应。

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