东北师范大学辛星获国家专利权
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龙图腾网获悉东北师范大学申请的专利非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116200820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310112635.X，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法是由辛星;刘为振;丁梦凡;辛巍;陈佳美;徐海阳设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，它是一种改良的CVD法，包含两种硫族元素的非金属硫族化合物代替硫族单质，作为非金属生长源；可以通过调整非金属生长源与金属生长源添加量的重量比，改变TMDs合金中两种硫族元素比值；WO3添加40mg，分别添加SeS255、38、26、15mg，获得了WS0.96Se0.04、WS0.65Se0.35、WS0.5Se0.5、WS0.27Se0.73TMDs四种合金单晶。可以制备化学成分可调的、层数均匀的二维TMDs合金的大尺寸单晶及大面积薄膜。为特定光谱响应的光电子器件、场效应晶体管、柔性电子器件等方面提供更多的选择。
本发明授权非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法在权利要求书中公布了：1.非金属硫族化合物制备二维TMDs合金的方法，采用CVD法，其特征在于：非金属生长源为包含两种硫族元素的非金属硫族化合物； 所述的两种硫族元素的非金属硫族化合物为SeS2； 金属生长源为WO3或MoO3； 衬底为金属或非金属衬底，所述的非金属衬底包括：硅片、蓝宝石、云母或石英； 通过调整非金属生长源与金属生长源添加量的重量比，改变TMDs合金中两种硫族元素的比例。
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