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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利氮化物PN结肖特基二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153965B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310080426.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权氮化物PN结肖特基二极管及制备方法是由薛军帅;李泽辉;吴冠霖;袁金渊;郭壮;李祖懋;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化物PN结肖特基二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化物PN结肖特基二极管，主要解决现有垂直型氮化物肖特基二极管击穿电压低的问题。其自下而上包括阴极5、衬底1、n+AlxGa1‑xN传输层2、钪钇铝氮氮化镓叠层结构3、钪钇铝氮氮化铝叠层结构4及阳极6。这两个叠层结构3,4中的氮化物材料与钪钇铝氮材料依次周期性生长，每层钪钇铝氮厚度为3nm‑50nm，组分保持不变，两者的总厚度和周期相同或不同，且整体钪组分为0％‑35％，钇组分为0％‑25％。本发明利用氮化物材料极化效应形成垂直PN结，利用ScYAlN铁电极化效应提高反向耐压，降低了反向漏电，提高了击穿电压，可用于微波整流和功率开关电路。

本发明授权氮化物PN结肖特基二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物PN结肖特基二极管，自下而上，包括阴极5、衬底1、n+AlxGa1-xN传输层2和阳极6，其特征在于： 所述n+AlGa1-xN传输层2和阳极6之间依次设置有ScAlNGaN叠层结构3和ScAlNAlN叠层结构4，两者依靠氮化物材料极化特性在垂直方向上形成PN结，以增加器件反向击穿电压； 所述ScAlNGaN叠层结构3和ScAlNAlN叠层结构4中氮化物材料与钪钇铝氮材料依次周期性生长，每层ScAlN厚度为3nm-50nm，组分保持不变，该ScAlNGaN叠层结构3的总厚度为936nm-10μm，该ScAlNAlN叠层结构4的总厚度为936nm-11μm，其中0≤w≤0.35、0≤y≤0.25、01； 所述ScAlNGaN叠层结构3中每个叠层内GaN层厚度为10nm-50nm，ScAlNAlN叠层结构4中每个叠层内AlN层厚度为3nm-5nm，通过控制每层中单层ScAlN、单层GaN、单层AlN的厚度，以调控器件正向导通电阻和反向击穿电压； 所述nAlGa1-xN传输层2的厚度为0.2μm-5μm，掺杂浓度为1×1019cm-3～5×1020cm-3，Al组分0≤x≤1。

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