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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310076486.6，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法是由张春福;张泽阳;陈大正;朱卫东;郝跃设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池组件及及其制备方法，包括依次叠层设置于透明玻璃衬底上的透明电极层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、阻挡层和金属电极层，其中，贯穿透明电极层设置有第一凹槽，第一凹槽内填充有电子传输层；贯穿空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层设置有第二凹槽，第二凹槽内填充有阻挡层；贯穿阻挡层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层设置有第三凹槽，第三凹槽内填充有金属电极层；贯穿金属电极层、阻挡层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层设置有第四凹槽，第四凹槽内填充有阻挡层；第一、第二凹槽之间存在间隔；第二、第三、第四凹槽之间无间隔。本发明对大面积钙钛矿电池的商业化发展有着重要意义。

本发明授权一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿太阳能电池组件，其特征在于，包括依次叠层设置于透明玻璃衬底上的透明电极层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、阻挡层和金属电极层，所述透明电极层一侧的上表面还设置有所述金属电极层；所述阻挡层为氧化物、二维材料和高分子聚合物中的任意一种；所述透明电极层为ITO和FTO中的任意一种；所述电子传输层为N型半导体材料；所述钙钛矿层的结构通式为ABC3，其禁带宽度在1.2ev~2.2ev之间，A为阳离子且A选自MA、FA、Rb和Cs中的一种或多种，B为阳离子且B选自Pb和Sn中的一种或多种；C为阴离子且选自Cl、Br、I的一种或多种；所述空穴传输层为P型半导体材料；所述金属电极层为Ag、Au、Cu中的任意一种；其中， 贯穿所述透明电极层设置有若干第一凹槽，每个所述第一凹槽内填充有所述电子传输层； 贯穿所述空穴传输层、所述钙钛矿层、所述电子传输层设置有若干第二凹槽，每个所述第二凹槽内填充有所述阻挡层； 贯穿所述阻挡层、所述空穴传输层、所述钙钛矿层、所述电子传输层设置有若干第三凹槽，每个所述第三凹槽内填充有所述金属电极层； 贯穿所述金属电极层、所述阻挡层、所述空穴传输层、所述钙钛矿层、所述电子传输层设置有若干第四凹槽，每个第四凹槽内填充有所述阻挡层； 所述第一凹槽与所述第二凹槽之间存在间隔；所述第二凹槽、所述第三凹槽和所述第四凹槽之间不存在间隔；所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽、所述第四凹槽宽度相同。

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