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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种高隔离度片上收发开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116054814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310140252.3，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种高隔离度片上收发开关是由胡三明;张秋涵;沈一竹;颜凡桓设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高隔离度片上收发开关在说明书摘要公布了：本发明提出一种高隔离度片上收发开关，包括初级耦合线、第一次级耦合线和第二次级耦合线，匹配电容，第一晶体管和第二晶体管，第一栅极偏置电阻和第二栅极偏置电阻，第一衬底偏置电阻和第二衬底偏置电阻，第一控制电压和第二控制电压，第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一电容、第二电容、第三电容和第四电容。当第一控制电压为正电源电压，第二控制电压为负电源电压时，端口一和端口二之间导通，端口一和端口三之间关断，反之同理。本发明设计了一种耦合抵消的结构，采用电容电阻构建一条信号抵消路径，抵消次级间耦合信号。本发明在保持耦合线收发开关面积小的同时，大幅度提升端口二和端口三之间的隔离度，解决了耦合线收发开关隔离度低的关键难题。

本发明授权一种高隔离度片上收发开关在权利要求书中公布了：1.一种高隔离度片上收发开关，其特征在于，该开关包括输入模块，输出模块和耦合抵消模块；所述输入模块包括初级耦合线L1和匹配电容Cp；所述匹配电容Cp与初级耦合线L1并联连接，该并联的两端一端与端口一P1连接，另一端接地；输入模块与输出模块间通过耦合线形成互感； 所述输出模块包括第一次级耦合线L2，第二次级耦合线L3，第一晶体管M1，第二晶体管M2；所述第一次级耦合线L2的两端连接端口二P2以及第一晶体管M1源级和漏极，第一晶体管M1的栅极接第一栅极偏置电阻Rg1，衬底接第一衬底偏置电阻Rb1，第一栅极偏置电阻Rg1和第一衬底偏置电阻Rb1的另一端相连，接第一控制电压Vc1；所述第二次级耦合线L3中间两端连接端口三P3以及第二晶体管M2源级和漏极，第二晶体管M2的栅极接第二栅极偏置电阻Rg2，衬底接第二衬底偏置电阻Rb2，第二栅极偏置电阻Rg2和第二衬底偏置电阻Rb2的另一端相连，接第二控制电压Vc2； 所述耦合抵消模块包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4，第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4其中，第一电容C1与第一电阻R1并联，第二电容C2与第二电阻R2并联，第一电容C1与第一电阻R1并联的内端接第一晶体管M1的漏极，第二电容C2与第二电阻R2并联的内端接第二晶体管M2的漏极，第一电容C1与第一电阻R1并联的外端连接第二电容C2与第二电阻R2并联的外端； 第三电容C3与第三电阻R3并联，第四电容C4与第四电阻R4并联，第三电容C3与第三电阻R1并联的内端接第一晶体管M1的源极，第四电容C4与第四电阻R4并联的内端接第二晶体管M2的源极，第三电容C3与第三电阻R3并联的外端连接第四电容C4与第四电阻R4并联的外端。

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