福建省晋华集成电路有限公司王喜勤获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995424B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310165076.9，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体器件及其形成方法是由王喜勤;吴家伟设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括多个凸柱，相邻两个所述凸柱之间具有凹槽；在各个所述凹槽底部形成未掺杂的第一半导体层；对所述第一半导体层进行掺杂处理；在掺杂后的所述第一半导体层表面形成掺杂的第一导电结构；对所述第一半导体层进行热处理，以使掺杂后的所述第一半导体层形成第二导电结构，所述第二导电结构和所述第一导电结构形成所述凹槽底部的接触结构。本申请能够避免发生P等杂质元素过度扩散的问题，提升所得半导体器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供衬底，所述衬底包括多个凸柱，相邻两个所述凸柱之间具有凹槽； 在各个所述凹槽底部形成未掺杂的第一半导体层，所述第一半导体层具有多个孔隙； 对所述第一半导体层进行掺杂处理； 在掺杂后的所述第一半导体层表面形成掺杂的第一导电结构； 对所述第一半导体层进行热处理，以使掺杂后的所述第一半导体层形成第二导电结构，所述第二导电结构和所述第一导电结构形成所述凹槽底部的接触结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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