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龙图腾网获悉西南交通大学申请的专利一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310082363.3，技术领域涉及：H10W42/20；该发明授权一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构是由向乾尹;肖卅;冯全源设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构在说明书摘要公布了：本发明属于射频技术领域，具体涉及一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构。所述M型磁耦合结构涉及集成电路封装件塑料包封体内的引线框架、金属键合线以及芯片裸片。所述M型磁耦合结构包括由所述引线框架、金属键合线以及芯片裸片形成的第一M型导电结构，以及与之电气隔离并对称的第二M型导电结构。相较于传统结构，其特殊的并联双环M型结构具备以下优点：工艺简单，耦合结构均为易加工的矩形，无需在引线框架上制作复杂的弧线；耦合结构基本对称，故而收发结构基本对称，有益于双向通信的实现；抗干扰能力强，并联双环结构使其具有电流相反的导电环，外界磁场干扰耦合至线圈的噪声被抵消；对外磁场辐射小，对外辐射区域小。

本发明授权一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路封装引线框架上的M型磁耦合结构，包括引线框架、金属键合线以及芯片裸片；其特征在于，所述M型磁耦合结构包括第一M型导电结构以及与之电气隔离的第二M型导电结构；所述第一M型导电结构包括第一导体框架、第一芯片裸片、第一金属键合线、第二金属键合线；第一导体框架包括第一导体、第二导体、第三导体、第四导体、第五导体以及第六导体；其中第一导体为第一接地面；第二导体的一端与第一导体相连，第二导体的另一端与第四导体的一端相连形成第一弯折结构；第三导体的一端与第一导体相连，第三导体的另一端与第五导体的一端相连形成第二弯折结构；第四导体的另一端、第五导体的另一端同时与第六导体的一端相连组成第一耦合导体；第一金属键合线连接第六导体的另一端与第一芯片裸片，第二金属键合线连接第一导体与第一芯片裸片； 所述第二M型导电结构和第一M型导电结构呈对称结构；第二M型导电结构包括第二导体框架、第二芯片裸片、第三金属键合线、第四金属键合线；第二导体框架包括第七导体、第八导体、第九导体、第十导体、第十一导体以及第十二导体；其中第七导体为第二接地面；第八导体的一端与第七导体的一端相连，第八导体的另一端与第十导体的一端相连形成第三弯折结构，第九导体的一端与第七导体相连，第九导体的另一端与第十一导体的一端相连形成第四弯折结构；第十导体的另一端、第十一导体的另一端均与第十二导体的一端相连组成第二耦合导体；第三金属键合线连接第十二导体的另一端与第二芯片裸片，第四金属键合线连接第七导体与第二芯片裸片； 第一耦合导体和第二耦合导体相互隔离并平行，第一M型导电结构与第二M型导电结构通过第一耦合导体和第二耦合导体进行磁耦合；第一M型导电结构包含由第一芯片裸片、第一金属键合线、第六导体、第四导体、第二导体、第一导体、第二金属键合线形成的第一导电回路，以及由第一芯片裸片、第一金属键合线、第六导体、第五导体、第三导体、第一导体、第二金属键合线形成的第二导电回路；第二M型导电结构包含由第二芯片裸片、第三金属键合线、第十二导体、第十导体、第八导体、第七导体、第四金属键合线形成的第三导电回路，以及由第二芯片裸片、第三金属键合线、第十二导体、第十一导体、第九导体、第七导体、第四金属键合线形成的第四导电回路；第一导电回路与第二导电回路电流方向相反，产生的磁场方向相反；第三导电回路与第四导电回路电流方向相反，产生的磁场方向相反；实现减弱磁耦合结构的对外辐射，并增强磁耦合结构外部磁场的抗干扰能力。

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