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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种微米级铌酸锂脊型波导及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115980917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310109828.X，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种微米级铌酸锂脊型波导及制备方法是由黎浩;张玉婷;刘时杰;郑远林;陈险峰设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微米级铌酸锂脊型波导及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种微米级铌酸锂脊型波导，包括铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层以及称底层，所述铌酸锂薄膜层、所述二氧化硅缓冲层以及所述称底层依次层叠，所述铌酸锂薄膜层的厚度为1‑5微米。本申请还公开了制备微米级铌酸锂脊型波导的方法。该方法适用于1‑5微米厚度铌酸锂薄膜，采用紫外光刻结合干法刻蚀的制备铌酸锂脊型波导的方案，兼容于传统半导体工艺，具有低成本高效、可大规模制备、可直接大量应用等优势，对现有技术改动较小，却能达到很好的效果。

本发明授权一种微米级铌酸锂脊型波导及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微米级铌酸锂脊型波导制备方法，其特征在于，所述微米级铌酸锂脊型波导包括铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层以及衬底层，所述铌酸锂薄膜层、所述二氧化硅缓冲层以及所述衬底层依次层叠，所述铌酸锂薄膜层的厚度为1-5微米，在所述铌酸锂薄膜层上设置有脊型波导，所述脊型波导的脊高为1-5微米， 所述微米级铌酸锂脊型波导制备方法包括以下步骤： 步骤1、材料准备步骤，对微米级厚度绝缘体上铌酸锂进行表面清洗； 步骤2、厚胶紫外线光刻步骤，旋涂紫外负性光刻胶，进行紫外光刻，形成脊型波导的干法刻蚀掩模， 胶掩模厚度为5-10μm， 紫外光刻之后对光刻胶进行阶梯式升温竖膜，包括从70℃阶梯式升温至110℃，每个升温过程10分钟，每个温度保持10分钟，所述阶梯式升温竖膜完成后在金属板上降温1-2小时； 步骤3、深度干法蚀刻步骤，采用氩离子轰击感应耦合等离子干法刻蚀工艺一次性刻蚀铌酸锂， 刻蚀气体为纯氩气，气体流量为40sccm，衬底温度为0℃，工艺压强为3.4mTorr，刻蚀功率为600W，刻蚀速率约为80nmmin； 步骤4、清除残余物步骤，使用有机清洗除去残余光刻胶，使用湿法腐蚀去除侧壁沉积物； 步骤5、制备二氧化硅缓冲层步骤，生长二氧化硅上包层，形成所述二氧化硅缓冲层； 步骤6、切割抛光步骤，采用高精度切片机进行切割，并对端面进行抛光。

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