中国科学院微电子研究所李泠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种垂直晶体管及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210287536.0，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种垂直晶体管及制造方法是由李泠;杨冠华;廖福锡设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直晶体管及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直晶体管及制造方法，涉及晶体管技术领域。用于解决现有结构下的垂直晶体管栅控能力不足的技术问题。方案包括：源极、漏极、沟道、第一栅堆叠部和第二栅堆叠部；所述沟道分别与所述源极和所述漏极接触；所述沟道包括形成在所述源极和所述漏极之间的第一环状结构；所述第一栅堆叠部至少位于所述沟道内、且与所述沟道的内表面接触；所述第二栅堆叠部包括环绕在所述沟道周向的第二环状结构；所述第一栅堆叠部和所述第二栅堆叠部用于被施加反向的控制电压，以共同控制所述沟道。本发明可以提高垂直晶体管的栅控能力。
本发明授权一种垂直晶体管及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、沟道、隔离部、第一栅堆叠部和第二栅堆叠部； 所述沟道分别与所述源极和所述漏极接触；所述沟道包括形成在所述源极和所述漏极之间的第一环状结构；所述第一栅堆叠部至少位于所述沟道内、且与所述沟道的内表面接触；所述第二栅堆叠部包括环绕在所述沟道周向的第二环状结构；所述第一栅堆叠部和所述第二栅堆叠部用于被施加反向的控制电压，以共同控制所述沟道； 所述隔离部至少形成在所述第二栅堆叠部和所述沟道之间；所述隔离部还环绕在所述源极和所述漏极中的一者的周向；所述源极和所述漏极中的另一者形成在所述隔离部上；所述沟道和所述第一栅堆叠部形成在隔离部、所述源极和所述漏极所围成的空间内。
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