中国科学院微电子研究所李泠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种垂直晶体管及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966607B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210167999.3，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种垂直晶体管及制造方法是由李泠;杨冠华;廖福锡设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直晶体管及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直晶体管及制造方法，涉及晶体管技术领域。用于解决现有的晶体管的尺寸无法进一步减小，集成电路无法容纳更多晶体管的技术问题。方案包括：源极、栅极、漏极和沟道，源极和漏极沿垂直方向间隔设置；源极和漏极之间设置有夹层结构；夹层结构包括栅极、与栅极下表面贴合连接的第一绝缘层和与栅极上表面贴合连接的第二绝缘层，栅极由石墨烯材料制成；沟道包括分别与漏极和源极相连接的第一端和第二端，以及与夹层结构的侧壁相对应的中间部；沟道的中间部与夹层结构的侧壁之间设置有栅介质层。本发明可以在竖直和水平方向上减小晶体管的尺寸，同时增强晶体管的布局能力，以便集成电路可以容纳更多的晶体管。
本发明授权一种垂直晶体管及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直晶体管，包括源极、栅极、漏极和沟道，其特征在于，所述源极和所述漏极沿垂直方向间隔设置；所述源极和所述漏极之间设置有夹层结构；所述夹层结构包括栅极、与所述栅极下表面贴合连接的第一绝缘层和与所述栅极上表面贴合连接的第二绝缘层，所述栅极由石墨烯材料制成；所述沟道包括分别与所述漏极和所述源极相连接的第一端和第二端，以及与所述夹层结构的侧壁相对应的中间部；所述沟道的中间部与所述夹层结构的侧壁之间设置有栅介质层； 所述漏极位于所述源极上方；所述源极沿水平方向设置有与所述漏极相错开的连接部；所述沟道呈阶梯形设置，所述沟道的第一端设置在所述漏极的上表面，所述沟道的第二端设置在所述连接部的上表面，所述沟道的中间部设置在所述夹层结构的一侧，所述沟道的中间部与所述夹层结构的侧壁之间设置有栅介质层；所述源极、漏极、栅极以及沟道共用一部分水平空间。
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