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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115947297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310056111.3，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法是由王军波;孙振宇;齐文杰;陈德勇设计研发完成，并于2023-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法。其芯片包含基底、贯穿基底的流孔、绝缘层、第一阳极、第一阴极、第二阳极、第二阴极。其中，绝缘层均匀分布在基底表面和流孔内壁上。第一阳极和第一阴极间隔分布在上表面绝缘层，后者还分布在上内壁绝缘层上。第二阳极和第二阴极间隔分布在下表面绝缘层上，后者还分布在下内壁绝缘层上。在流孔内壁的第一阴极和第二阴极由中间的绝缘区隔开。本发明提出的芯片同时集成制造四种电极，相当于两片集成两电极的芯片的组合，可以减少芯片的消耗，降低生产成本。此外，芯片加工误差取决于设备对准误差，流孔和电极图形对准精度高。电极检测灵敏度高，性能一致性好。

本发明授权单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：选择并清洗硅基底； 步骤2：使用正性光刻胶在硅基底上表面进行匀胶、前烘、曝光、显影，暴露通孔位置，形成流孔刻蚀光刻胶掩膜； 步骤3：利用深硅刻蚀设备进行通孔的刻蚀，刻蚀深度略超过硅基底的一半厚度；刻蚀过后去除光刻胶掩膜，清洗硅基底； 步骤4：使用正性光刻胶在硅基底下表面进行匀胶、前烘、曝光、显影，暴露通孔位置，形成流孔刻蚀光刻胶掩膜；工艺参数同步骤2； 步骤5：利用深硅刻蚀设备进行通孔的刻蚀，刻蚀深度略超过硅基底的一半厚度，使两次刻蚀的通孔贯通，形成流孔；工艺参数同步骤3；刻蚀过后去除光刻胶掩膜，清洗硅基底； 步骤6：在硅基底的上下表面和流孔内壁生长绝缘层； 步骤7：在上表面绝缘层上使用干膜，进行曝光、显影，暴露流孔、第一阳极引线和第一阴极引线的位置，形成电极溅射掩膜； 步骤8：使用溅射工艺在上表面绝缘层和上内壁绝缘层上溅射金属； 步骤9：去除干膜和其上的金属，形成电极图形； 步骤10：在下表面绝缘层上使用干膜，进行曝光、显影，暴露流孔、第一阳极引线和第一阴极引线的位置，形成电极溅射掩膜；工艺参数同步骤7； 步骤11：使用溅射工艺在下表面绝缘层和下内壁绝缘层上溅射金属；工艺参数同步骤8； 步骤12；去除干膜和其上的金属，形成电极图形； 步骤13：清洗制作完成的集成电极芯片。

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