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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种全刻蚀偏振无关亚波长光栅耦合器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115933054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211568334.X，技术领域涉及：G02B6/124；该发明授权一种全刻蚀偏振无关亚波长光栅耦合器是由王乔;马蔚;骆瑞奇;刘楠设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全刻蚀偏振无关亚波长光栅耦合器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全刻蚀偏振无关亚波长光栅耦合器，该光栅耦合器上包层、顶硅结构、下包层和硅衬底，其中，顶硅结构包括使用更多自由参数与逆向设计方法优化的亚波长光栅结构、两个相互垂直的输出输入端口、单模过度波导和使用基于伴随法逆向方法设计的偏振合束器偏振分离器；偏振合束器偏振分离器采用的逆向方法设计。本发明可在标准硅光子学平台上制造，所引入的亚波长超材料结构和逆向设计方法可以有效降低器件的耦合损耗和尺寸，且具有较高的工作带宽；本发明能够同时允许光纤中以横电模式或横磁模式的光耦合进波导；本发明的亚波长光栅结构制作工艺简单，具有较大的制造公差，受制造工艺水平的影响较小。

本发明授权一种全刻蚀偏振无关亚波长光栅耦合器在权利要求书中公布了：1.一种全刻蚀偏振无关亚波长光栅耦合器，同时允许光纤中以横电模式或横磁模式的光耦合进波导，其特征在于，所述光栅耦合器由上至下依次包括：上包层1、顶硅结构2、下包层3和硅衬底4，所述顶硅结构2包括使用自由参数与逆向设计方法优化的第一亚波长光栅结构100和第二亚波长光栅结构200、相互垂直的第一输出端口101和第二输出端口102、相互垂直的第一输入端口201和第二输入端口202、第一单模过渡波导104、第二单模过渡波导204、偏振合束器103和偏振分离器203； 其中，所述第一亚波长光栅结构100和第二亚波长光栅结构200通过以下方法设计获得：横电模式光沿x轴传播，由第二输出端口102输出光栅或第二输入端口202输入光栅，横磁模式光沿y轴传播，由第一输出端口101输出光栅或第一输入端口201输入光栅，每个单元亚波长结构在x方向和y方向的占空比均不相同，x方向和y方向的周期长度与对应方向传输模式的单元亚波长结构的等效折射率和占空比存在关系式；单元亚波长结构在x方向和y方向上依次排列，称为单元亚波长结构队列；单元亚波长结构参数需要通过多次迭代决定；通过调整单元亚波长结构参数以实现光栅的偏振无关；使用逆向设计方法对对参数进行优化。

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