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龙图腾网获悉中国兵器装备集团西南技术工程研究所申请的专利基于二维阵列磁场传感器的涂层下金属基体损伤检测装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115901934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211379298.2，技术领域涉及：G01N27/90；该发明授权基于二维阵列磁场传感器的涂层下金属基体损伤检测装置及其操作方法是由窦世涛;赵方超;胡广洋;黄波;何建新;封先河;王成章;朱玉琴;陈新;李佳蒙设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于二维阵列磁场传感器的涂层下金属基体损伤检测装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了基于二维阵列磁场传感器的涂层下金属基体损伤检测装置及其操作方法，包括在被测部位设置有多个磁场检测传感器，在磁场检测传感器外布置激励线圈，由所有磁场检测传感器共同构成二维阵列磁场传感单元；根据被测部位面积确定需要放置的磁场检测传感器数量，并在被测部位正上方的非金属基板的孔内放置磁场检测传感器，确保所有磁场检测传感器的有效探测面能够完全覆盖被测部位，设定好多频涡流激励信号发生器的激励信号频率。本发明能长时间获取被测件不同激励频率下的磁场数据图像，便于在不同低激励频率下一次性获取大面积被测部位的损伤数据图像，不仅大幅降低了操作难度、简化了操作步骤，同时能够提高检测效率和检测范围。

本发明授权基于二维阵列磁场传感器的涂层下金属基体损伤检测装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维阵列磁场传感器的涂层下金属基体损伤检测装置，包括激励线圈20和磁场检测传感器21，其特征在于：在被测部位设置有多个呈阵列布置的磁场检测传感器21，在磁场检测传感器21外布置激励线圈20，由所有磁场检测传感器21共同构成二维阵列磁场传感单元； 所述的二维阵列磁场传感单元由一个激励线圈20和阵列布置该激励线圈20内的多个磁场检测传感器21构成，相邻磁场检测传感器21之间的间距不大于1mm； 每个激励线圈20嵌装在非金属基板22上的孔边部位，所有激励线圈20的连接线路埋置在非金属基板22上，在每个非金属基板22上的孔边且位于激励线圈20内侧设置有阶台23，该阶台23用于放置磁场检测传感器21，与磁场检测传感器21相配合的接线端子24位于阶台23表面； 还包括多频涡流激励信号发生器、磁场数据采集器和数据处理模块与显示器；其中，多频涡流激励信号发生器用于产生多频激励信号并在被测部位形成磁场，且同步产生一个频率标记信号，并将该标记信号同步传输给磁场数据采集器；二维阵列磁场传感单元用于检测不同激励频率下的磁场数据，并对应记录和提取不同激励频率下的磁场数据，并将该磁场数据传输给磁场数据采集器；磁场数据采集器用于获取磁场数据、频率标记信号，将磁场数据与频率标记信号进行匹配、存储，并反馈给数据处理模块；数据处理模块用于将读取的磁场数据生成磁场数据图并输出； 所述的多频激励信号频率为0.05Hz-200kHz，所述的多频激励信号包括在第一毫秒级时段T1内发出的第一档频率、在第二毫秒级时段T2内发出的第二档频率….在第K毫秒级时段TK内发出的第K档频率，所有毫秒级时段的总时长控制在一秒内；第一档频率对应的检测厚度区间为0-h1mm，第二档频率对应的检测厚度区间为0-h2mm，第K档频率对应的检测厚度区间为0-hKmm，0mm所在位置表示检测基准面，h1mm所在位置表示检测基准面往下深度为hKmm的位置，h1＜h2＜hK。

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