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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利台阶状阴极发射极反向阻断双端固态闸流管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310002473.4，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权台阶状阴极发射极反向阻断双端固态闸流管及制备方法是由梁琳;卿正恒设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本台阶状阴极发射极反向阻断双端固态闸流管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种台阶状阴极发射极反向阻断双端固态闸流管及制备方法，双端固态闸流管为四层PNPN结构，且阴极侧和阳极侧均设有Al电极；阴极侧的N+发射极为台阶状结构，共有n级台阶，沿着第一级台阶至第n级台阶的方向，每一级台阶结深不断加深，结深处浓度逐渐降低；阳极侧的发射极P+掺杂浓度为1×1014cm‑3～1×1021cm‑3，深度为35μm～100μm，且阴极侧存在成千上万个直径为200μm～300μm的短路点；当n为3时，第一级台阶的掺杂浓度为1×1019cm‑3～1×1021cm‑3，结深为12μm～20μm，第二级台阶的掺杂浓度为1×1017cm‑3～1×1021cm‑3，其结深为17μm～25μm，第三级台阶的掺杂浓度为8×1016cm‑3～1×1021cm‑3，结深为21μm～29μm。台阶阴极发射极RBDT则是通过n次扩散阴极发射极，使得第n台阶阴极处的电压降适当增高，从而在相同的dvdt触发脉冲下，能够增大RBDT芯片的开通面积，从而增大了RBDT芯片didt耐量。

本发明授权台阶状阴极发射极反向阻断双端固态闸流管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种台阶状阴极发射极反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，双端固态闸流管为四层PNPN结构，且阴极侧和阳极侧均设有Al电极； 所述阴极侧的N+发射极为台阶状结构，共有n级台阶，沿着第一级台阶至第n级台阶的方向，每一级台阶结深不断加深且结深处浓度逐渐降低； 所述阳极侧的发射极P+掺杂浓度为1×1014cm-3~1×1021cm-3，深度为35μm~100μm，且在所述阴极侧设置有成千上万个直径为200μm~300μm的短路点；所述沿着第一级台阶至第n级台阶的方向是从阴极到阳极的方向； n为大于等于2的正整数。

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