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龙图腾网获悉中国计量科学研究院申请的专利基于硅晶面间距的纳米线宽测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115854882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211364768.8，技术领域涉及：G01B11/02；该发明授权基于硅晶面间距的纳米线宽测量方法及系统是由王芳;施玉书设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅晶面间距的纳米线宽测量方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于硅晶面间距的纳米线宽测量方法和系统。所述基于硅晶面间距的纳米线宽测量方法，基于获取的硅晶面间距图像得到硅晶面间距像素跨度，基于获取的线宽结构图像得到半高宽像素跨度，然后，基于硅晶面间距像素跨度和半高宽像素跨度确定纳米线宽，以提高纳米线宽测量的精确度，填补现有技术中没有基于硅晶面间距进行纳米线宽测量的技术空白。

本发明授权基于硅晶面间距的纳米线宽测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于硅晶面间距的纳米线宽测量方法，其特征在于，包括： 获取纳米线宽样板中的线宽结构图像和单晶硅基底的硅晶面间距图像； 基于所述硅晶面间距图像得到硅晶面间距像素跨度； 基于所述线宽结构图像得到半高宽像素跨度； 基于硅晶面间距、所述硅晶面间距像素跨度和所述半高宽像素跨度确定纳米线宽； 其中，基于所述硅晶面间距图像得到硅晶面间距像素跨度，具体包括： 对所述硅晶面间距图像进行二维离散傅里叶变换得到衍射图像； 使用阈值分割方法对所述衍射图像进行斑点分割得到斑点集； 确定所述斑点集中每一斑点的亮点数量，并将所述亮点数量最多的斑点作为中心斑点； 确定所述中心斑点的中点坐标； 取一对以所述中心斑点为对称点的斑点，作为第一斑点和第二斑点； 分别确定所述第一斑点的中点坐标和所述第二斑点的中点坐标； 根据所述第一斑点的中点坐标和所述中心斑点的中点坐标确定所述第一斑点到所述中心斑点的距离，并将这一距离作为第一斑点距离； 根据所述第二斑点的中点坐标和所述中心斑点的中点坐标确定所述第二斑点到所述中心斑点的距离，并将这一距离作为第二斑点距离； 根据所述第一斑点距离和所述第二斑点距离确定硅晶面间距像素跨度； 基于所述线宽结构图像得到半高宽像素跨度，具体包括： 将所述线宽结构图像绕图像中心点进行旋转，旋转至线宽顶部与线宽底部均平行于x轴的位置；所述图像中心点为所述线宽结构图像绕图像的中心点； 确定特定矩形框内线宽结构图像的平均强度曲线，并对所述平均强度曲线进行样条插值处理；所述特定矩形框为横跨线宽结构图像中线宽结构轮廓的矩形框； 确定纳米线宽样板中SiO2层的强度和Pt层的强度； 根据SiO2层的强度和Pt层的强度确定半强度； 以样条插值处理后平均强度曲线中与所述半强度对应的位置作为线宽边界； 沿着线宽轮廓移动所述特定矩形框，并返回执行“确定特定矩形框内线宽结构图像的平均强度曲线，并对所述平均强度曲线进行样条插值处理”，提取得到线宽轮廓曲线； 基于所述线宽轮廓曲线，分别确定顶部线宽的位置和底部线宽的位置； 基于所述顶部线宽的位置和底部线宽的位置确定半高宽位置； 确定所述半高宽位置处线宽轮廓曲线对应的像素点； 基于所述线宽轮廓曲线对应的像素点确定半高宽像素跨度；所述半高宽像素跨度为： NW＝PR-PL+1； 其中，NW为半高宽像素跨度，PR为第一条线宽轮廓曲线对应的像素点，PL为第二条线宽轮廓曲线对应的像素点。

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