中国科学院空天信息创新研究院王军波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利基于C-SOI的谐振式压力传感器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115806269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211692168.4，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权基于C-SOI的谐振式压力传感器及制作方法是由王军波;薛涵;周天平;姚佳辉;陈德勇;谢波设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于C-SOI的谐振式压力传感器及制作方法在说明书摘要公布了：本发明设计了一种基于C‑SOI的谐振式压力传感器及制作方法。利用金硅共晶键和、机械化学抛光等工艺完成高器件层厚度均匀性的C‑SOI的制作，并使用此键合片通过光刻、深刻蚀等工艺制作和预埋槽对准的压力敏感膜和谐振器，使用金硅共晶键合工艺使硅片和C‑SOI键合在一起实现对谐振器的真空封装。本发明所设计硅谐振式压力传感器能够实现对气体压力的高精度测量，双谐振器的差分输出可以极大地提高该传感器的压力灵敏度、降低该传感器的温度漂移并减小该传感器在测量过程中的静压误差。C‑SOI的制作精准控制腔室厚度，消除侧钻对谐振器性能的影响以及氢氟酸释放可能产生的谐振器失效。
本发明授权基于C-SOI的谐振式压力传感器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于C-SOI的谐振式差压传感器，其特征在于：通过金硅共晶键合实现C-SOI的制作，包括底层的衬底层、中间层的器件层和上层的硅盖板；在衬底层使用硅片刻蚀制作压力敏感膜，在压力敏感膜的表面通过键合和刻蚀制作谐振器，谐振器所在的硅层称为器件层；所述谐振器包括第一谐振器和第二谐振器；所述器件层还包括第一-第八电极；所述谐振器通过硅导线连接至第一-第八电极实现电气连接，第一-第八电极分布在谐振式差压传感器的边框处；衬底层、器件层和硅盖板之间通过金硅共晶键合进行键合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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