东京毅力科创株式会社田端雅弘获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利处理被处理体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732351B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211541768.0，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权处理被处理体的方法是由田端雅弘设计研发完成，并于2018-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本处理被处理体的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理，能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差，并且能够在沟槽的内表面按每一原子层高精细地形成含硅氧化物的膜。当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时，为了扩展沟槽宽度，利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理，各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
本发明授权处理被处理体的方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括： 具有气体导入口和排气口的处理容器； 在所述处理容器内生成等离子体的等离子体源； 在所述处理容器内支承被处理体的载置台；和 控制部， 所述控制部控制所述装置，以将具有多个沟槽、且该多个沟槽中的各个沟槽具有沟槽宽度的被处理体载置在所述载置台，取得所述多个沟槽的沟槽宽度的值，并基于所取得的所述沟槽宽度的值来堆积膜，以使得沟槽宽度的偏差在预先设定的范围内，由此调节所述多个沟槽中的各个沟槽的所述沟槽宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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