扬州杰利半导体有限公司崔丹丹获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州杰利半导体有限公司申请的专利一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211213031.6，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法是由崔丹丹;游佩武;王跃;裘立强;王毅设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法在说明书摘要公布了：一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法。涉及半导体器件。本发明通过在高电阻率CZ硅衬底上选择性扩散制造出低阻P+衬底，通过对高电阻率原片衬底和高掺杂的低阻P+衬底进行脱氧处理，降低器件衬底氧含量降低产品IR，衬底中氧含量高，容易产生较多的负荷中心，在生产过程中会产生更多的缺陷，造成产品反向漏电流大，氧含量要小于1x1017个cm3，同时结合阱工艺，改变大电流时二极管结的击穿点，由边缘转移至中央区域，提升产品整体耐压能力，提升产品可靠性，提升产品可靠性。
本发明授权一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电阻率阱扩散低压二极管，其特征在于，包括： P衬底硅片； P+衬底区，所述P+衬底区从所述P衬底硅片的顶面区域性向下延伸； P脱氧区，所述P脱氧区从所述P衬底硅片顶面向下延伸； P+脱氧区，所述P+脱氧区从所述P+衬底区顶面向下延伸；所述P+脱氧区向下延伸深度小于所述P脱氧区向下延伸深度； N+阱区，所述N+阱区位于所述P+脱氧区外侧，从所述P脱氧区的顶面向下延伸； N+主结区，所述N+主结区从所述P+脱氧区的顶面向下延伸； 氧化物钝化层，所述氧化物钝化层位于所述N+主结区和N+阱区的上方；和 金属层，所述金属层设置在二极管的上表面和下表面； 在高电阻率P衬底硅片上选择性扩散制造出低阻P+衬底区，通过对高电阻率P衬底硅片和高掺杂的低阻P+衬底区进行脱氧处理，降低器件衬底氧含量降低产品反向漏电流，氧含量小于1x1017个cm3，同时结合阱工艺，改变大电流时二极管结的击穿点，由边缘转移至中央区域，提升产品整体耐压能力。
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