买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211266942.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管是由刘杰;李孟泽;黄汇钦设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本申请适用于晶体管技术领域，提供了一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管。P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及钝化层；钝化层中设置有与铝镓氮势垒层相接触的源极、漏极及P型栅结构；其中，P型栅结构包括栅极和N个互不接触的P型氮化镓结构；栅极设置在钝化层中远离铝镓氮势垒层的一侧，N个P型氮化镓结构沿钝化层与铝镓氮势垒层的接触面依次排列，且N个P型氮化镓结构均嵌入在栅极中，不同的P型氮化镓结构的掺杂浓度均不相同。本方案不仅可以提高P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管的阈值电压，而且不会导致P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管的开关速度降低以及开关损耗增大。

本发明授权一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管，包括衬底以及设置在所述衬底上，且沿远离所述衬底的方向依次排列的氮化铝成核层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及钝化层；所述氮化铝成核层与所述衬底相接触，所述氮化镓缓冲层和所述氮化铝成核层相接触，所述铝镓氮势垒层与所述氮化镓缓冲层相接触，所述钝化层与所述铝镓氮势垒层相接触；所述钝化层中设置有与所述铝镓氮势垒层相接触的源极、漏极及P型栅结构；其特征在于，所述P型栅结构包括： 栅极，设置在所述钝化层中远离所述铝镓氮势垒层的一侧； N个互不接触的P型氮化镓结构，N个所述P型氮化镓结构沿所述钝化层与所述铝镓氮势垒层的接触面依次排列，且N个所述P型氮化镓结构均嵌入在所述栅极中，不同的所述P型氮化镓结构的掺杂浓度均不相同； 所述P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管还包括二维电子气，所述二维电子气位于所述氮化镓缓冲层和所述铝镓氮势垒层之间； 所述P型栅结构还包括： N-1个填充物，分别填充在每相邻两个所述P型氮化镓结构之间，所述填充物对所述二维电子气的耗尽作用弱于各个所述P型氮化镓结构对所述二维电子气的耗尽作用；所述N-1个填充物为非故意掺杂型氮化镓或低掺杂P型氮化镓。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳天狼芯半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市福田区沙头街道天安社区深南大道6019号金润大厦18E；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。