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龙图腾网获悉江苏索尔思通信科技有限公司申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211385106.9，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由章曙东;张林建;周鹏;高承浩;孙梅;王陈设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体激光器及其制备方法，包括衬底，衬底上方设置有有源区和抗反射窗口区域，有源区包括有源层和光栅层，抗反射窗口区域位于出光端面处，有源区与抗反射窗口区域相对接，抗反射窗口区域包括底轮廓、侧轮廓及顶轮廓，抗反射窗口区域内设置有抗反射结构，抗反射结构包括波导层，波导层的一端延伸至出光端面，该端对应有源层，且波导层的厚度大于或等于有源层的厚度，另一端延伸至顶轮廓，及隔离层，沿抗反射窗口区域的轮廓设置，且至少位于侧轮廓与波导层之间，用于分隔有源区与波导层；本半导体激光器，不仅可以实现更好的抗反射光效果，显著提升芯片自身的抗反射能力，而且能保证有源区正向出光耦合进入波导的效率不受影响。

本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，包括衬底，所述衬底上方设置有有源区和抗反射窗口区域，有源区包括有源层和光栅层，抗反射窗口区域位于出光端面处，有源区与抗反射窗口区域相对接，所述抗反射窗口区域包括底轮廓、背离出光端面一侧的侧轮廓以及顶轮廓，侧轮廓分别与底轮廓及顶轮廓相连，底轮廓低于有源层的下边缘，顶轮廓与光栅层的上边缘平齐或高于光栅层的上边缘；抗反射窗口区域内设置有抗反射结构，其特征在于，所述底轮廓为水平布置的平面结构，所述侧轮廓为弧形结构，且弧形结构朝向背离衬底的方向，底轮廓的水平长度L1与侧轮廓的水平长度L2之和为10~50μm； 所述抗反射结构包括波导层、隔离层以及InP包层二，其中， 所述波导层的材料采用InGaAsP四元化合物，波导层包括第一部分以及与第一部分相连的第二部分，第一部分和第二部分分别对应底轮廓和侧轮廓，第一部分的一端延伸至出光端面，第二部分的一端延伸至顶轮廓，第一部分水平设置，并对应所述有源层，第一部分的厚度H4为150nm~1000nm，第一部分的下边缘低于有源层的下边缘或者与有源层的下边缘平齐，第一部分的上边缘高于有源层的上边缘或者与有源层的上边缘平齐，第二部分为弧形结构；波导层的形状与抗反射窗口区域底轮廓及侧轮廓所组成的形状相适配； 隔离层沿抗反射窗口区域的轮廓设置，侧轮廓与波导层之间以及底轮廓与波导层之间均设置有隔离层，用于分隔有源区与波导层，底轮廓与波导层之间的隔离层的高度为200nm~1μm，隔离层采用InP材料的InP包层一； InP包层二设置于波导层与顶轮廓之间。

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