京东方科技集团股份有限公司吴勇获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利量子点图案、量子点发光器件、显示装置及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115552640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180000823.2，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权量子点图案、量子点发光器件、显示装置及制作方法是由吴勇设计研发完成，并于2021-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点图案、量子点发光器件、显示装置及制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种量子点图案、量子点发光器件、显示装置及制作方法。所述图案化量子点膜层的制作方法，包括：在原始基板的一侧形成多个凹槽；在所述原始基板具有所述凹槽的一侧形成隔离层，所述隔离层的厚度小于所述凹槽的深度；通过量子点溶液自组装工艺，在所述图案坑形成量子点图案部；在所述量子点图案部背离所述隔离层的一侧形成牺牲层；在所述牺牲层背离所述量子点图案部的一侧贴合粘合层；剥离所述粘合层，以使所述量子点图案部与所述牺牲层随所述粘合层一同从所述隔离层分离，得到所述粘合层、所述牺牲层和所述量子点图案部的叠层结构；将所述叠层结构暴露所述量子点图案部的一面与目标基板接触，并去除所述牺牲层和所述粘合层。
本发明授权量子点图案、量子点发光器件、显示装置及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图案化量子点膜层的制作方法，其中，包括： 在原始基板的一侧通过光刻构图工艺形成多个凹槽； 在所述原始基板具有所述凹槽的一侧形成隔离层，所述隔离层的厚度小于所述凹槽的深度，其中，所述隔离层在与所述凹槽对应的区域形成图案坑； 将量子点溶液旋涂于所述隔离层的背离所述原始基板的一侧，在所述图案坑形成量子点图案部；所述量子点图案部是所述量子点溶液通过毛细作用形成的； 在所述量子点图案部背离所述隔离层的一侧形成牺牲层； 在所述牺牲层背离所述量子点图案部的一侧贴合粘合层； 剥离所述粘合层，以使所述量子点图案部与所述牺牲层随所述粘合层一同从所述隔离层分离，得到所述粘合层、所述牺牲层和所述量子点图案部的叠层结构； 将所述叠层结构暴露所述量子点图案部的一面与目标基板接触，并去除所述牺牲层和所述粘合层； 其中，所述去除所述牺牲层和所述粘合层，包括： 将所述叠层结构浸入第一溶液，以使所述牺牲层溶解。
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