芯恩(青岛)集成电路有限公司闫稳玉获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种功率器件芯片及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115483282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110667246.4,技术领域涉及:H10D12/00;该发明授权一种功率器件芯片及其制作方法是由闫稳玉设计研发完成,并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率器件芯片及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种功率器件芯片及其制作方法,该功率器件芯片包括半导体层及背面金属导电层,所述半导体层包括相对设置的正面与背面,所述半导体层的背面设有背面沟槽;所述背面金属导电层位于所述半导体层背面并填充进所述背面沟槽中。本发明利用背面沟槽使得芯片背面的半导体材料与散热更好的金属互相交叉,形成散热结构,从而降低了电流通路中的热阻,且引入背面沟槽还有利于减短电流路径使得电阻降低,从而芯片半导体层的厚度可以更厚,不仅有利于降低工艺难度,提高良率,还可以增加器件的短路耐量。
本发明授权一种功率器件芯片及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种功率器件芯片,其特征在于,包括: 半导体层,包括相对设置的正面与背面,所述半导体层的背面设有背面沟槽; 背面金属导电层,位于所述半导体层背面并填充进所述背面沟槽中; 其中,所述功率器件芯片还包括位于所述半导体层正面的栅极结构,所述栅极结构包括栅介质层与栅导电层; 所述栅极结构包括沟槽型栅极结构; 所述背面沟槽的位置与所述栅极结构的位置相对应。
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