复旦大学孟佳琳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种纳米尺寸的高速神经形态器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115456154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211112676.0，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种纳米尺寸的高速神经形态器件及其制备方法是由孟佳琳;王天宇;李振海;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米尺寸的高速神经形态器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明一种纳米尺寸的高速神经形态器件及其制备方法。该器件包括：衬底；顶部沟槽，形成在衬底正面；下层电极，其覆盖顶部沟槽的底部、侧壁并延伸覆盖衬底表面；氧化物功能层，形成在所述下层电极上；粘附层，形成在所述氧化物功能层上；顶层电极，形成在所述粘附层上，覆盖粘附层表面并完全填充顶部沟槽；底部沟槽，形成在衬底背面，其贯穿衬底下部使顶部沟槽内的下层电极的部分下表面露出；底层电极，形成在所述底部沟槽中，其填充底部沟槽，与下层电极相接触并覆盖衬底背面，其中，位于顶部沟槽内的所述顶层电极与位于底部沟槽内的所述底层电极的重叠区域小于10nm。
本发明授权一种纳米尺寸的高速神经形态器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米尺寸的高速神经形态器件制备方法，其特征在于， 包括以下步骤： 在衬底正面形成顶部沟槽； 沉积下层电极，使其覆盖顶部沟槽的底部、侧壁并延伸覆盖衬底表面； 在所述下层电极上生长氧化物功能层； 在所述氧化物功能层上生长粘附层； 在所述粘附层上生长顶层电极，使其覆盖粘附层表面并完全填充顶部沟槽； 在衬底背面形成底部沟槽，底部沟槽贯穿衬底下部使顶部沟槽内的下层电极的部分下表面露出， 在所述底部沟槽中生长底层电极，使其填充所述底部沟槽，与所述下层电极相接触，并覆盖所述衬底背面， 其中，位于所述顶部沟槽内的所述顶层电极与位于所述底部沟槽内的所述底层电极的重叠区域小于10nm， 所述顶部沟槽的宽度为21nm～70nm，所述底部沟槽的宽度为3nm～10nm， 所述氧化物功能层为MoOx，HfO2，TaOx，ZrO2，Al2O3，TiO2，ZnO，NiO，SiO2中的一种或者多种材料组成的叠层。
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