南昌大学王启胜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南昌大学申请的专利一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210971490.4，技术领域涉及：H10F39/95；该发明授权一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺是由王启胜;成者;王立;张贤晶设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺，包括CMOS红外探测结构和CMOS测量电路系统，所述CMOS红外探测结构和所述CMOS测量电路系统均采用CMOS工艺制备；所述CMOS红外探测结构直接集成在CMOS测量电路系统外层的单晶硅二氧化硅层，所述二氧化硅层上设置有金属电极或导电层中的一种，所述金属电极或导电层可与CMOS测量电路系统连接，用于信号传输；所述金属电极或导电层上设置热电材料层，所述热电材料层作为整个红外探测器的光敏部位；所述热电材料层上设置导电玻璃层。本发明与CMOS直接集成，像元间距小，可实现超大像素FPA制备。本发明制备成本低，对材料单晶性要求低，器件结构微小，操作简单。
本发明授权一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺在权利要求书中公布了：1.一种CMOS直接集成的红外探测器结构，其特征在于：包括CMOS红外探测结构和CMOS测量电路系统，所述CMOS红外探测结构和所述CMOS测量电路系统均采用CMOS工艺制备；所述CMOS红外探测结构直接集成在CMOS测量电路系统外层的单晶硅二氧化硅层，所述二氧化硅层上设置有金属电极或导电层中的一种，所述金属电极或导电层可与CMOS测量电路系统连接，用于信号传输；所述金属电极或导电层上设置热电材料层，所述热电材料层作为整个红外探测器的光敏部位；所述热电材料层上设置导电玻璃层； 所述热电材料包括碲化铋及其合金、碲化铅及其合金、硅锗合金、纳米碳管、铋纳米线、硒化铅、硒硫铅、硫化铅中至少一种； 所述二氧化硅层中埋有至少两组热沉层，每组热沉层包括多层热沉层，且两组热沉层对称分布。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南昌大学，其通讯地址为：330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励