台湾积体电路制造股份有限公司蔡曜任获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利互连结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210557185.0，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权互连结构及其形成方法是由蔡曜任;张志福;洪圣强;柯锦源设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本互连结构及其形成方法在说明书摘要公布了：描述了互连结构及其形成方法。在一些实施例中，结构包括：第一金属间介电IMD层，设置在多个导电部件上方；以及第一无源组件，设置在衬底的第一区域中的第一IMD层上。结构还包括：第二无源组件，设置在衬底的第二区域中的第一IMD层上。第二无源组件包括第一导电层，并且第一导电层具有第一厚度。结构还包括：第二IMD层，设置在第一区域中的第一无源组件上以及第二区域中的第二无源组件和部分第一IMD层上。第二IMD层具有范围在从第一厚度的约五倍至约20倍的第二厚度。
本发明授权互连结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种设置在衬底上方的互连结构，包括： 第一金属间介电IMD层，设置在多个导电部件上方； 第一无源组件，设置在所述衬底的第一区域中的所述第一金属间介电层上，其中，所述第一无源组件是电容器； 第二无源组件，设置在所述衬底的第二区域中的所述第一金属间介电层上，其中，所述第二无源组件是包括第一导电层的电阻器，并且所述第一导电层具有第一厚度；以及 第二金属间介电层，设置在所述第一区域中的所述第一无源组件上以及所述第二区域中的所述第二无源组件和部分所述第一金属间介电层上，其中，所述第一区域和所述第二区域中的所述第二金属间介电层的顶面基本上是平坦的，并且所述第二金属间介电层具有范围在从所述第一厚度的5倍至20倍的第二厚度， 其中，所述第一无源组件包括： 第二导电层； 第三导电层，与所述第二导电层部分重叠；以及 第四导电层，与所述第三导电层部分重叠， 其中，自顶向下看，所述第二导电层、所述第三导电层和所述第四导电层的主表面大于所述第一导电层的主表面。
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