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龙图腾网获悉北海惠科半导体科技有限公司申请的专利肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211063121.1，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权肖特基二极管及其制备方法是由李京兵;王国峰;呼彩霞设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体芯片制造技术领域。该肖特基二极管制备方法在制备肖特基二极管时，首先提供肖特基二极管芯片，肖特基二极管芯片具有势垒层。之后，在肖特基二极管芯片具有势垒层的一侧形成正面电极，正面电极包括第一金属层和镍金属层、金金属层；在肖特基二极管芯片不具有势垒层的一侧形成第二金属层作为背面电极。其中，第一金属层不包括金属银。如此，制备形成的肖特基二极管的正面电极不包括银离子，因此也不会发生银离子迁移的问题，从而可以延长肖特基二极管的使用寿命。

本发明授权肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括： 提供肖特基二极管芯片，所述肖特基二极管芯片包括衬底层、外延层和势垒层，所述外延层和所述衬底层沿预设方向层叠设置；沿垂直于所述预设方向的方向，所述外延层具有第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述势垒层位于所述外延层远离所述衬底层的一侧且嵌入所述外延层的第一区域； 在所述肖特基二极管芯片具有所述势垒层的一侧形成至少覆盖所述势垒层的第一金属层，所述第一金属层的材料包括金属铝，且不包括金属银； 在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行化学镀镍，以形成镍金属层； 在所述镍金属层远离所述第一金属层的一侧对所述镍金属层进行化学镀金，以形成金金属层； 在所述肖特基二极管芯片不具有所述势垒层的一侧形成第二金属层； 其中，所述在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行化学镀镍，包括：在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行化学镀锌，以形成锌金属层；将形成有所述锌金属层的结构置于含镍离子的溶液中，以将所述锌金属层置换为镍金属层； 所述在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行化学镀锌之前，还包括：将形成有所述第一金属层的结构置于酸性除油剂中，以去除所述第一金属层表面的杂质；从所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行蚀刻，以使所述第一金属层具有远离所述势垒层的粗糙表面。

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