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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种浅沟槽隔离区域和DRAM及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206870B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110410560.4，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种浅沟槽隔离区域和DRAM及其制造方法是由秋成云;周娜;李俊杰;李琳;王佳设计研发完成，并于2021-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浅沟槽隔离区域和DRAM及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种浅沟槽隔离区域和DRAM及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有工艺利用各个不同的刻蚀设备导致工艺复杂等问题。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上方顺序形成下部掩模层、多晶硅掩模层、上部掩模层、旋涂硬掩模层和光刻掩模层图案；将光刻掩模层图案经由旋涂硬掩模层转移至上部掩模层和多晶硅掩模层以形成对准的上部掩模层图案和多晶硅掩模层图案；以对准的上部掩模层图案和多晶硅掩模层图案为掩模，在同一腔室中顺序对下部掩模层和半导体衬底进行刻蚀，以形成浅沟槽隔离区域的沟槽；以及在沟槽中形成介质层以形成浅沟槽隔离区域。实现了在同一腔室中对下部掩模层和半导体衬底进行原位刻蚀，降低了工艺复杂性。

本发明授权一种浅沟槽隔离区域和DRAM及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离区域的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上方顺序形成下部掩模层、多晶硅掩模层、上部掩模层、旋涂硬掩模层和光刻掩模层图案； 将所述光刻掩模层图案经由所述旋涂硬掩模层转移至所述上部掩模层和所述多晶硅掩模层以形成对准的上部掩模层图案和多晶硅掩模层图案； 以对准的上部掩模层图案和多晶硅掩模层图案为掩模，省略转移步骤，在同一腔室中顺序对所述下部掩模层和所述半导体衬底进行原位刻蚀，以形成所述浅沟槽隔离区域的沟槽，其中，对所述下部掩模层进行刻蚀进一步包括：以对准的上部掩模层图案和多晶硅掩模层图案为掩模，对所述下部掩模层进行刻蚀，以形成下部掩模层图案；对所述下部掩模层和所述半导体衬底之间的界面处的自然氧化物进行刻蚀；以及去除所述对准的上部掩模层图案和多晶硅掩模层图案；对所述半导体衬底进行刻蚀，以形成所述浅沟槽隔离区域的沟槽进一步包括：以所述下部掩模层图案为掩模对所述半导体衬底的上部进行第一刻蚀步骤以形成上部沟槽并对所述上部沟槽的顶部进行圆角化处理；以所述下部掩模层图案为掩模在所述上部沟槽的底部处对所述半导体衬底进行第二刻蚀步骤，以形成具有倾斜侧壁的下部沟槽，其中，通过改变刻蚀气体中的Cl2的气体流量调节所述倾斜侧壁的倾斜角度，所述下部沟槽位于所述上部沟槽下方；以及以所述下部掩模层图案为掩模在下部沟槽的底部处对所述半导体衬底进行第三刻蚀步骤并对所述下部沟槽的底部进行圆角化处理；以及 在所述沟槽中形成介质层以形成所述浅沟槽隔离区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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