美光科技公司S·拉贾拉贾恩获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器阵列中的尖峰电流抑制的设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210319162.6，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权用于存储器阵列中的尖峰电流抑制的设备和方法是由S·拉贾拉贾恩;S·文卡特桑;I·S·埃兰戈;R·D·卡塞尔设计研发完成，并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器阵列中的尖峰电流抑制的设备和方法在说明书摘要公布了：与存储器阵列中的尖峰电流抑制相关的系统、方法及设备。在一个方法中，存储器装置包含具有交叉点存储器架构的存储器阵列。所述存储器阵列具有存取线例如，字线及或位线，所述存取线经配置以存取所述存储器阵列的存储器单元。每个存取线分成左部分及右部分。每个部分电连接到单个通孔，驱动器使用所述单个通孔在所述存取线上产生电压。为了减少与电流尖峰相关联的放电，第一电阻器位于所述左部分与所述通孔之间，并且第二电阻器位于所述右部分与所述通孔之间。
本发明授权用于存储器阵列中的尖峰电流抑制的设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 存储器阵列，其包括经配置以存取所述存储器阵列的存储器单元的存取线，所述存取线在所述存取线的中心区域的相对侧上具有第一部分及第二部分，其中所述第一部分经配置以存取第一存储器单元且所述第二部分经配置以存取第二存储器单元； 至少一个通孔，其在所述中心区域处电连接到所述第一部分及所述第二部分； 第一电阻器，其位于所述第一部分与所述通孔之间，其中所述第一电阻器经配置以在存取所述第二存储器单元时屏蔽来自所述第一部分的放电； 第二电阻器，其位于所述第二部分与所述通孔之间，其中所述第二电阻器经配置以在存取所述第一存储器单元时屏蔽来自所述第二部分的放电；及 驱动器，其电连接到所述通孔，其中所述驱动器经配置以在所述第一部分上产生电压以存取所述第一存储器单元，并且在所述第二部分上产生电压以存取所述第二存储器单元。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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