瓦克化学股份公司詹妮弗·韦格纳获国家专利权
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龙图腾网获悉瓦克化学股份公司申请的专利碳涂覆的硅颗粒的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115136347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080097135.8，技术领域涉及：H01M4/134；该发明授权碳涂覆的硅颗粒的制造方法是由詹妮弗·韦格纳;克里斯托弗·德雷格设计研发完成，并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳涂覆的硅颗粒的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的主题是通过借助于将硅颗粒与以固体形式存在的聚丙烯腈进行混合来制备干燥的混合物，用于生产未聚集的、碳涂覆的硅颗粒的方法，所述硅颗粒具有1至15pm的平均粒径d50并且分别基于所述碳涂覆的硅颗粒的总重量含有＜10wt％的碳以及90wt％的硅，其特征在于在所述干燥的混合物中以固体形式存在的聚丙烯腈随着气态碳前体的形成而热分解，并且由此形成的气态碳前体在硅颗粒的存在下通过CVD化学气相沉积的技术而碳化。
本发明授权碳涂覆的硅颗粒的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种通过借助于在不存在溶剂的情况下混合硅颗粒和以固体形式存在的聚丙烯腈生产干燥混合物用于生产非聚集的碳涂覆的硅颗粒的方法，所述非聚集的碳涂覆的硅颗粒具有1至15µm的平均粒径d50并且包含≤10wt%的碳和≥90wt%的硅，各自基于所述非聚集的碳涂覆的硅颗粒的总重量， 其特征在于，使所述干燥混合物中以固体形式存在的聚丙烯腈热分解以形成气态碳前体，以及 使由此形成的所述气态碳前体在硅颗粒的存在下通过包括化学气相沉积的CVD法碳化；在从聚丙烯腈热分解以形成气态碳前体至所述CVD法碳化的整个过程中不包含任何低于碳化温度的温度保持水平。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瓦克化学股份公司，其通讯地址为：德国慕尼黑；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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