富士电机株式会社山野彰生获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置和半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180007824.X，技术领域涉及：H10W90/10；该发明授权半导体装置和半导体芯片是由山野彰生设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和半导体芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种抑制接合线倾斜的发生的半导体装置和半导体芯片。在半导体单元20中，半导体芯片25～28在正面的角部分别设置有栅极25a1～25a4、26a1～26a4、27a1～27a4、28a1～28a4。此时，接合线29b将靠半导体芯片26侧的栅极25a4与靠半导体芯片25侧的栅极26a2连接。接合线29f将靠半导体芯片27侧的栅极28a1与靠半导体芯片28侧的栅极27a3之间连接。
本发明授权半导体装置和半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 第一半导体芯片，其具备分别设置于第一正面的角部的第一控制电极、设置于所述第一正面的第一输出电极、以及设置于第一背面的第一输入电极； 第二半导体芯片，其配置于所述第一半导体芯片的侧部，并且具备分别设置于第二正面的角部的第二控制电极、设置于所述第二正面的第二输出电极、以及设置于第二背面的第二输入电极；以及 第一连结布线，其将靠所述第二半导体芯片侧的第一控制电极与靠所述第一半导体芯片侧的第二控制电极之间连接， 所述第二半导体芯片侧的第一控制电极与靠所述第一半导体芯片侧的第二控制电极中的彼此位于最接近的位置的第一控制电极与第二控制电极仅与所述第一连结布线连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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