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龙图腾网获悉上海图灵智算量子科技有限公司申请的专利模拟晶体结构一步法的强化学习绝热环境搭建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114925593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210348061.1，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权模拟晶体结构一步法的强化学习绝热环境搭建方法是由李翔宇设计研发完成，并于2022-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本模拟晶体结构一步法的强化学习绝热环境搭建方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种模拟晶体结构一步法的强化学习绝热环境搭建方法，属于强化学习和材料合成技术领域。因为该方法通过近似地建立晶体结构相变过程与补给能量之间的关系来搜寻晶体在实验过程中可能经历的相变路径，具体该方法先获取晶体材料发生相变过程的所有可能结构从而构建模拟环境，然后将所有可能结构信息包含的特定信息处理后进行结构变换并制定变换规则，从而模拟晶体材料的相变过程，所以，该方法可以有效地辅助实验进行，减少实验次数降低成本，对材料合成学科具有较高的经济价值。

本发明授权模拟晶体结构一步法的强化学习绝热环境搭建方法在权利要求书中公布了：1.一种模拟晶体结构一步法的强化学习绝热环境搭建方法，其特征在于，包括： 获取晶体材料发生相变过程的所有可能结构； 对所述所有可能结构包含的特定信息处理后进行结构变换并制定变换规则； 其中，所述变换规则包括第一变换规则、第二变换规则， 所述第一变换规则包括设置变换半径； 基于所述第一变换规则，所述第二变换规则包括随机选定一个可变换结构点并判断该可变换结构点的可用能量值； 所述可变换结构点的可用能量值的计算公式如下： 可用能量值＝模拟环境的能量补给值+变换前后结构能量初值的差值； 其中，所述模拟环境的能量补给值Ei的范围为： 0≤Ei＜Emax，Emax为所述所有可能结构的能量初值的最大差值；其中，i等于1、2或3； 其中，所述模拟环境的初始能量补给值E0＝0； 其中，所述模拟绝热环境下利用一步法制备晶体材料的过程包括第一模拟阶段、第二模拟阶段及第三模拟阶段， 所述第一模拟阶段中所述模拟环境的能量补给值E1的范围为： E0≤E1＜Emax； 其中，所述第二模拟阶段中所述模拟环境的能量补给值E2＝Emax； 其中，所述第三模拟阶段中所述模拟环境的能量补给值E3＜Emax， 所述第三模拟阶段中模拟环境的能量补给值的衰减方式包括线性衰减。

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