美光科技公司李延纯获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器装置中的写入操作的多阶跃预读获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114783495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210010554.4，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权用于存储器装置中的写入操作的多阶跃预读是由李延纯;N·加杰拉;K·萨尔帕特瓦里设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器装置中的写入操作的多阶跃预读在说明书摘要公布了：本发明提供与用于存储器装置中的写入操作的多阶跃预读相关的系统、方法和设备。在一种方法中，存储器装置具有包含存储器单元的存储器阵列。在对存储器单元执行写入操作前，存储器装置的控制器向存储器单元施加多个预读电压。控制器施加第一预读电压，以确定存储器单元中的哪些具有超过阈值的感测电流。响应于确定超过阈值的存储器单元的百分比太低如低于固定极限，控制器确定向存储器单元施加第二预读电压。第二预读电压的量值大于第一预读电压的量值，并且可施加第二预读电压以确保在适当地确定存储器单元的现有编程状态方面具有更高的可靠性。然后，控制器基于每个存储器单元的目标逻辑状态和待由控制器使用的编程模式来适当地向存储器单元施加写入电压。
本发明授权用于存储器装置中的写入操作的多阶跃预读在权利要求书中公布了：1.一种存储器系统，其包括： 存储器阵列，所述存储器阵列包含存储器单元；以及 控制器，所述控制器被配置成： 向所述存储器单元施加第一预读电压； 感测每个存储器单元的由施加所述第一预读电压产生的相应第一电流； 确定所述存储器单元的第一部分以及所述存储器单元的第二部分，对于所述第一部分，所述相应第一电流超过第一阈值，对于所述第二部分，所述相应第一电流不超过所述第一阈值； 确定所述存储器单元的所述第一部分小于阈值数量；并且 响应于确定所述存储器单元的所述第一部分小于所述阈值数量： 向所述存储器单元的所述第二部分施加第二预读电压，其中所述第二预读电压的量值大于所述第一预读电压的量值； 感测所述第二部分中的每个存储器单元的由施加所述第二预读电压产生的相应第二电流；并且 确定所述存储器单元的第三部分，对于所述第三部分，所述相应第二电流超过第二阈值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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