富士电机株式会社杉山贵纪获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体模块的壳体和半导体模块的壳体的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006824.8，技术领域涉及：H10W76/12；该发明授权半导体模块的壳体和半导体模块的壳体的制造方法是由杉山贵纪设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体模块的壳体和半导体模块的壳体的制造方法在说明书摘要公布了：即使在短时间内也能向模具内供给足够量的树脂而得到良好的成型品。半导体模块的壳体11收纳半导体元件，为下方开口的箱形且利用注射成型形成。壳体在俯视时具有矩形形状，在上表面或侧面配置有外部端子。外部端子在壳体的内侧与半导体元件电连接，并贯通壳体的内侧和外侧。壳体在与矩形形状的短边相对应的一个侧面具备作为树脂入口的单个第1浇口部52。第1浇口部具有在壳体的宽度方向上较长的扁平形状。
本发明授权半导体模块的壳体和半导体模块的壳体的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块的壳体，该半导体模块的壳体收纳半导体元件，为下方开口的箱形且利用注射成型形成，其中， 该半导体模块的壳体在俯视时具有矩形形状，并在上表面或侧面配置有外部端子， 所述外部端子在所述壳体的内侧与所述半导体元件电连接，并贯通所述壳体的内侧和外侧， 在与矩形形状的短边对应的一侧面具备作为树脂的入口的单一的第1浇口部， 所述第1浇口部具有在所述壳体的宽度方向上较长的扁平形状， 所述第1浇口部设于所述壳体的下缘部， 在所述壳体的下缘部具有向下方突出的突起部， 所述第1浇口部形成于比所述突起部靠上方的位置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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