TCL科技集团股份有限公司马兴远获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种量子点发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583088B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011376743.0，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种量子点发光二极管及其制备方法是由马兴远;徐威;张建新设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子点发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。所述制备方法包括步骤：在阳极上形成空穴传输层，所述空穴传输层包括TFB；在所述空穴传输层上覆盖一层处理液，进行加热处理；其中所述处理液包括含卤素元素的化合物；在处理后的空穴传输层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。本发明使用含卤素元素的化合物对TFB空穴传输层表面进行后处理，由于有卤素的存在，可以降低TFB的HOMO能级，从而减小了TFB和量子点之间的界面势垒，提高空穴从TFB向量子点的传输能力，提高了器件整体的空穴传输效率，提高了器件的发光效率，同时也减少了对器件中功能层的损伤，也提高了器件的寿命。
本发明授权一种量子点发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤： 在第一电极上形成空穴传输层，所述空穴传输层由TFB组成； 在所述空穴传输层上覆盖一层处理液，进行加热处理；其中所述处理液由含卤素元素的有机物和溶剂组成； 在处理后的空穴传输层上形成量子点发光层； 在所述量子点发光层上形成第二电极，得到所述量子点发光二极管； 所述含卤素元素的有机物选自三氟乙苯、三氟甲苯、三氟甲基苯酚、三氯甲基苯酚、三氟甲基苯硫酚、三氯乙苯和三氟甲氧基苯中的至少一种； 所述处理液中的溶剂选自甲醇、乙醇、氯苯、甲苯、丁醇中的一种或多种； 所述含卤素元素的有机物的浓度为0.1-5mgml。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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