致真存储(北京)科技有限公司卢世阳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210171412.6，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法是由卢世阳;宁小白;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：复合式重金属层以及设置于复合式重金属层之上的磁隧道结，其中，所述复合式金属层包括至少两层薄膜结构：第一重金属层结构以及第二重金属层结构，至少两层薄膜结构中的任一一层由β相结构材料得到。可见，将原重金属层的材料选取为β相结构材料，由于β相结构材料自身属性是具有较大的自旋霍尔角，可以使SOT‑MRAM具有较大的翻转效率，同时β相结构材料与具有相同自旋电导率的其它材料相比，具有更小的电阻率，可以减小器件运行过程中因电阻率造成的损耗。
本发明授权一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述自旋轨道矩磁存储器包括复合式重金属层以及设置于复合式重金属层之上的磁隧道结， 其中，所述复合式重金属层包括至少两层薄膜结构：第一重金属层结构以及第二重金属层结构，所述第一重金属层结构设置于所述第二重金属层结构之下； 所述复合式重金属层中每层薄膜结构均由β相结构材料得到； 相邻两层所述薄膜结构的材料不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人致真存储(北京)科技有限公司，其通讯地址为：100191 北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励