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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利键合衬底及键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210071206.8，技术领域涉及：H10W40/20；该发明授权键合衬底及键合方法是由邢程;刘伟杰设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本键合衬底及键合方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种键合衬底及键合方法。一种键合衬底，由一第一衬底和一第二衬底键合形成，包括：内部散热结构，所述内部散热结构为环绕金属柱设置的金属层，埋设在第一衬底和第二衬底的至少一个内；导热结构，所述导热结构连接所述内部散热结构，并暴露于键合后衬底的表面。本发明可以在不改变现有芯片堆叠工艺的情况下，通过增加内部散热结构、外部散热结构、及导热结构，使得三维堆叠芯片的散热效率大幅提升，解决芯片工作温度升高、导线电阻加大导致的芯片耗电量加大和工作速度降低的问题，延长芯片使用寿命。

本发明授权键合衬底及键合方法在权利要求书中公布了：1.一种键合方法，将一第一衬底和一第二衬底键合形成键合衬底，其特征在于，包括： 在键合前，提供第一和第二晶圆，所述第一和第二晶圆表面包括第一和第二种子层、以及第一和第二钝化层； 在所述第一和第二晶圆表面形成第一和第二金属层； 图形化所述第一和第二金属层，去除所述第一和第二种子层正对位置的所述第一和第二金属层，形成第一和第二内部散热结构； 在所述第一和第二内部散热结构上形成第一和第二介质层和第一和第二键合层； 刻蚀所述第一和第二键合层、第一和第二介质层、以及第一和第二钝化层，形成第一和第二凹槽，所述第一和第二凹槽暴露出所述第一和第二种子层； 以第一和第二种子层为电极，在所述第一和第二凹槽内电镀形成第一和第二金属柱，以形成第一和第二衬底；以及 在键合后，在所述第一衬底和第二衬底的至少一个之中形成孔洞至暴露出内部散热结构，填充所述孔洞形成导热结构，所述导热结构位于所述键合衬底的边缘并暴露于所述键合衬底的同一表面；在所述键合衬底表面形成外部散热结构，所述外部散热结构为设置在所述键合衬底表面的金属层，所述外部散热结构通过所述导热结构与所述内部散热结构相连接。

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