爱思开海力士有限公司吴星来获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利具有垂直结构的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110489359.X，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权具有垂直结构的存储器装置是由吴星来;朴商佑;蔡东赫;金基洙设计研发完成，并于2021-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有垂直结构的存储器装置在说明书摘要公布了：一种具有垂直结构的存储器装置包括：存储器单元阵列，其限定在单元晶圆中并且具有布置在其内的在第一方向上延伸的多条字线和在第二方向上延伸的多条位线；以及逻辑电路，其被配置为控制存储器单元阵列，并且包括页缓冲器低压电路、页缓冲器高压电路、行解码器电路和外围电路，其中，页缓冲器低压电路设置于在垂直方向上与单元晶圆交叠的第一外围晶圆中，并且其中，页缓冲器高压电路、行解码器电路和外围电路设置于在垂直方向上与单元晶圆和第一外围晶圆交叠的第二外围晶圆中。
本发明授权具有垂直结构的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种具有垂直结构的存储器装置，该存储器装置包括： 存储器单元阵列，该存储器单元阵列限定在单元晶圆中，并且具有在第一方向上延伸并在第二方向上布置的多条字线，并且具有在所述第二方向上延伸并在所述第一方向上布置的多条位线；以及 逻辑电路，该逻辑电路控制所述存储器单元阵列，该逻辑电路包括页缓冲器低压电路、页缓冲器高压电路、行解码器电路和外围电路， 其中，所述页缓冲器低压电路设置在第一外围晶圆中，并且所述页缓冲器高压电路、所述行解码器电路和所述外围电路设置在第二外围晶圆中，并且 其中，所述单元晶圆在与由所述第一方向和所述第二方向形成的平面垂直的垂直方向上与所述第一外围晶圆和所述第二外围晶圆交叠。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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