国际商业机器公司李宁获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111118624.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)是由李宁;J·P·德索扎;K·W·布里;D·K·萨达纳设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)在说明书摘要公布了：本公开涉及包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器PCM。一种相变存储器PCM器件，包括：电介质层；底部电极，所述底部电极设置在所述电介质层中；衬垫材料，所述衬垫材料设置在所述底部电极上；相变材料，所述相变材料设置在所述衬垫材料上；以及顶部电极，所述顶部电极设置在所述相变材料上和所述电介质层中。
本发明授权包括降低阻力漂移的衬垫的相变存储器(PCM)在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器PCM器件，包括： 电介质层； 底部电极，所述底部电极设置在所述电介质层中； 衬垫材料，所述衬垫材料设置在所述底部电极上，其中所述衬垫材料包括导电氧化物薄膜和设置在导电氧化物薄膜上方的由Al形成的金属层； 相变材料，所述相变材料设置在所述衬垫材料上；以及 顶部电极，所述顶部电极设置在所述相变材料上和所述电介质层中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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