上海传芯半导体有限公司季明华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利一种具有保护结构的光掩模及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114217503B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111383986.1，技术领域涉及：G03F1/00；该发明授权一种具有保护结构的光掩模及其制备方法是由季明华;任新平;黄早红设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有保护结构的光掩模及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有保护结构的光掩模及其制备方法，制备方法包括步骤：提供第一透光基板，在第一透光基板表面刻蚀出凹陷状的图形凹槽；于第一透光基板的图形凹槽中的形成图形掩膜层；提供第二透光基板；键合第一透光基板和第二透光基板，图形凹槽与第二透光基板配合组成密封腔，以密封图形掩膜层。本发明可以有效控制光掩模雾化的问题，可以使得图形掩膜层始终保持洁净，并使图形掩膜层始终与外部环境隔离，从而可以控制雾化问题，且不需要定期清洁，大大节省了设备成本和工艺成本。
本发明授权一种具有保护结构的光掩模及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有保护结构的光掩模，其特征在于，所述光掩模包括： 第一透光基板，所述第一透光基板表面形成有凹陷状的图形凹槽； 图形掩膜层，形成于所述第一透光基板的所述图形凹槽中；一个图形凹槽中包含有多个图形掩膜层单元； 提供第二透光基板，所述第二透光基板键合于所述第一透光基板，所述图形凹槽与所述第二透光基板配合组成密封腔，以密封所述图形掩膜层； 其中，所述图形掩膜层的顶面低于所述第一透光基板表面；所述图形凹槽的深度介于125纳米~190纳米之间，所述图形掩模层的厚度介于120纳米-170纳米；所述第一透光基板和所述第二透光基板的键合为真空密封键合；所述第一透光基板和第二透光基板为石英基底。
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