杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司夏志平获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司申请的专利沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111388116.3，技术领域涉及：H10W10/10；该发明授权沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件是由夏志平;田浩洋;陈洪雷;孙样慧;温建功设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件，所述掺杂方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中具有沟槽；基于所述沟槽形成扩散掺杂区域，所述沟槽的至少部分侧壁具有所述扩散掺杂区域；其中，位于所述沟槽侧壁的所述扩散掺杂区域的掺杂浓度沿着所述沟槽深度方向保持不变。应用本发明提供的技术方案，基于半导体衬底上的沟槽形成扩散掺杂区域，相对于传统离子注入方式，在沿半导体衬底厚度的方向上，能够形成掺杂浓度保持不变的扩散掺杂区域。
本发明授权沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽侧壁的表面掺杂方法，其特征在于，所述掺杂方法包括： 提供一半导体衬底，所述半导体衬底中具有沟槽； 基于所述沟槽形成扩散掺杂区域，所述沟槽的至少部分侧壁具有所述扩散掺杂区域； 其中，位于所述沟槽侧壁的所述扩散掺杂区域的掺杂浓度沿所述沟槽深度方向保持不变； 在所述沟槽的底部指向开口方向上，所述沟槽包括依次排布的N个分段区域，该N个分段区域在所述方向上依次为第1分段区域至第N分段区域，N为正整数； 基于所述沟槽形成扩散掺杂区域，包括： 在第i分段区域的侧壁上形成掺杂层，i为不大于N的正整数； 基于所述掺杂层，在第i分段区域的侧壁内形成扩散掺杂区域； 形成所述扩散掺杂区域后，去除所述掺杂层； 当N大于2，i大于1，且小于N时，在第i分段区域的侧壁上形成掺杂层，包括： 在第1分段区域至第i-1分段区域内形成第三填充结构； 在第i分段区域的侧壁上形成所述掺杂层； 在形成有所述掺杂层的第i分段区域中形成第四填充结构； 其中，在形成所述扩散掺杂区域后，依次去除所述第四填充结构、所述掺杂层以及所述第三填充结构。
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