富士电机株式会社加藤辽一获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体模块和半导体模块的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110012538.4，技术领域涉及：H10W40/20；该发明授权半导体模块和半导体模块的制造方法是由加藤辽一;池田良成;西泽龙男;堀元人;望月英司设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体模块和半导体模块的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供半导体模块和半导体模块的制造方法。降低热阻并且降低电感。半导体模块1包括：层叠基板2，其是在绝缘板20的上表面配置有电路图案22并在绝缘板的下表面配置有散热板21而成的；半导体元件3，其在上表面配置有集电极30，在下表面配置有发射极电极32和栅电极31，发射极电极和栅电极经由凸块B与电路图案的上表面接合；以及块电极4，其与集电极接合。块电极具有：平板部44，其覆盖半导体元件的上方；以及一对突出部45，其自平板部的两端朝向电路图案突出地与电路图案接合。
本发明授权半导体模块和半导体模块的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体模块，其特征在于， 该半导体模块包括： 层叠基板，其是在绝缘板的上表面配置有电路图案并在所述绝缘板的下表面配置有散热板而成的； 半导体元件，其在上表面配置有集电极，在下表面配置有发射极电极和栅电极，所述发射极电极和所述栅电极经由凸块与所述电路图案的上表面接合；以及 块电极， 所述电路图案具有： 集电极电路图案，其与所述集电极连接； 栅极电路图案，其与所述栅电极连接，以及 发射极电路图案，其与所述发射极电极连接， 所述块电极具有： 集电极块，其与所述集电极电路图案接合； 栅电极块，其与所述栅极电路图案接合； 发射极电极块，其与所述发射极电路图案的发射极部接合；以及 感测发射极电极块，其与所述发射极电路图案的感测发射极部接合， 所述集电极块由平板部和一对突出部构成，所述平板部覆盖所述半导体元件的上方；所述一对突出部自所述平板部的两端朝向所述集电极电路图案突出而与所述集电极电路图案接合， 所述栅电极块、所述发射极电极块以及所述感测发射极电极块配置于所述集电极块的外侧。
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