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龙图腾网获悉深圳佰维存储科技股份有限公司申请的专利DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113160876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110442473.7，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备是由孙成思;孙日欣;雷泰设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，对存储阵列交替写入预设测试数据以及预设测试数据的反数，基于写入的数据以预设操作单元为单位对每一第一预设读写单元分别进行两次遍历，对于遍历到的目标预设操作单元，确定与其相邻的相邻预设操作单元，基于预设测试数据按照预设顺序对目标预设操作单元以及相邻预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，实现了棋盘背景临近访问，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。

本发明授权DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤： 对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果； 所述测试包括： 以预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的存储阵列交替写入预设测试数据以及所述预设测试数据的反数直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据； 任一预设操作单元写入的数据与其相邻的相邻预设操作单元写入的数据不同； 基于写入的数据以所述预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元分别进行两次遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元； 对于遍历到的目标预设操作单元，确定与其相邻的相邻预设操作单元，基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标预设操作单元以及所述相邻预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较； 第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数； 根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果； 所述以预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的存储阵列交替写入预设测试数据以及所述预设测试数据的反数直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括： 按照预设突发长度以预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的存储阵列的每一第二预设读写单元的低位地址开始交替写入预设测试数据以及所述预设测试数据的反数直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据，所述第二预设读写单元为行； 所述基于写入的数据以所述预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元分别进行两次遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元包括： 对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元中所有写入的数据为所述预设测试数据的第一预设操作单元进行第一次遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有写入的数据为所述预设测试数据的第一预设操作单元； 对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元中所有写入的数据为所述预设测试数据的反数的第二预设操作单元进行第二次遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有写入的数据为所述预设测试数据的反数的第二预设操作单元。

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