ARM 有限公司埃尔·麦迪·布雅马获国家专利权
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龙图腾网获悉ARM 有限公司申请的专利用于读出放大器电路的输入电路器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111986716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010192734.X，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权用于读出放大器电路的输入电路器件是由埃尔·麦迪·布雅马;西里尔·尼古拉·德雷设计研发完成，并于2020-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于读出放大器电路的输入电路器件在说明书摘要公布了：根据本公开的特定实现，针对读出放大器电路操作，输入电路提供一个或多条参考路径和位路径。在一种实现中，输入电路包括参考路径、位路径和CMOS电阻器。参考路径包括第一MTJ器件和第一存取器件，其中参考路径经由第一输入端子耦接到读出放大器。位路径包括第二MTJ器件和第二存取器件，其中位路径经由第二输入端子耦接到读出放大器。在特定实现中，CMOS电阻器耦接到参考路径或位路径中的一个。
本发明授权用于读出放大器电路的输入电路器件在权利要求书中公布了：1.一种用于读出放大器的输入电路，包括： 参考路径，包括第一磁隧道结MTJ器件和第一存取器件，其中，所述参考路径经由第一输入端子耦接到所述读出放大器； 位路径，包括第二MTJ器件和第二存取器件，其中，所述位路径经由第二输入端子耦接到所述读出放大器；以及 互补金属氧化物半导体CMOS电阻器，耦接到所述参考路径和所述位路径中的一个，其中，当所述CMOS电阻器耦接到所述位路径时，所述CMOS电阻器被配置为第二MTJ器件的电阻偏移，使得所述位路径的阻抗大于或小于高电阻状态HRS。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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