泉州市云箭测控与感知技术创新研究院;泉州云箭测控信息科技有限公司鄢晨晞获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州市云箭测控与感知技术创新研究院;泉州云箭测控信息科技有限公司申请的专利一种高密度集成陶瓷封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223979114U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202620125006.X，技术领域涉及：H10W72/50；该实用新型一种高密度集成陶瓷封装结构是由鄢晨晞;林锦坡;黄明财;戴志华;王鸿睿设计研发完成，并于2026-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高密度集成陶瓷封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种高密度集成陶瓷封装结构，属于半导体封装技术领域，旨在解决传统封装结构集成度低、工艺兼容性差、扩展性不足的问题。该结构采用多层陶瓷一体化成型基体，包含底部深腔层、中部平台层、金属焊盘层、金属电路层、封接层以及陶瓷盖板结构，并在各层分别集成倒装BGA芯片、正装芯片和盖板背贴式倒装芯片多种芯片；正装芯片通过键合引线与金属焊盘层连接，倒装芯片通过焊盘直接贴装，陶瓷盖板与管壳之间采用金属键合实现气密封装与三维电路互联。本实用新型实现了倒装贴装与引线键合工艺的兼容，通过三维布局提升集成密度，降低工艺难度，具备良好的扩展性与实用性，可广泛应用于各类电子器件封装。
本实用新型一种高密度集成陶瓷封装结构在权利要求书中公布了：1.一种高密度集成陶瓷封装结构，其特征在于，包括陶瓷材质一体成型的管壳基体，所述管壳基体由下至上依次设有底部深腔层100、中部平台层200、金属焊盘层300、金属电路层400、封接层410，并配合陶瓷盖板1000构成完整封装外壳；所述陶瓷盖板1000背面设有陶瓷盖板电路层1200、陶瓷盖板金属焊盘1100，边缘设有陶瓷盖板封接层1300；所述底部深腔层100设有阵列分布的深腔焊盘110，用于贴装倒装BGA芯片800；所述中部平台层200表面贴装正装芯片600，并通过键合引线500与金属焊盘层300的金属焊盘310连接；所述陶瓷盖板金属焊盘1100用于贴装倒装芯片900，陶瓷盖板封接层1300与封接层410进行封接，陶瓷盖板电路层1200与金属电路层400形成电气互联；所述结构还设有贯穿管壳的外壳信号传输孔700，用于内部电路与外部引线的电气导通。
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