芯恩(青岛)集成电路有限公司肖恩才获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利晶圆承载结构及用于siconi刻蚀工艺的刻蚀装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223979081U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520468250.1，技术领域涉及：H10P72/76；该实用新型晶圆承载结构及用于siconi刻蚀工艺的刻蚀装置是由肖恩才;于强;赵霞设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆承载结构及用于siconi刻蚀工艺的刻蚀装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种晶圆承载结构及用于siconi刻蚀工艺的刻蚀装置，晶圆承载结构包括基座、顶盘和顶针，顶盘叠设于基座上，基座靠近边缘位置设置有多个第一开孔，顶盘靠近边缘位置设置有多个第二开孔，第一开孔和第二开孔同轴设置，顶针能够沿第一开孔和第二开孔的轴向运动以使得位于顶盘上的晶圆上升或者下降，基座对应第一开孔处的上侧设置有第一加热元件，该晶圆承载结构通过在基座对应第一开孔处的上侧设置第一加热元件，在应用于siconi刻蚀工艺时，晶圆位于顶盘上，第一加热元件能够对顶盘第二开孔区域处进行温度补偿，提高晶圆刻蚀反应速率，平衡晶圆中心以及对应顶盘第二开孔区域处的刻蚀厚度差异，改善siconi刻蚀工艺的均匀性。
本实用新型晶圆承载结构及用于siconi刻蚀工艺的刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆承载结构，其特征在于： 包括基座、顶盘和顶针，所述顶盘叠设于所述基座上，所述基座靠近边缘位置设置有多个第一开孔，所述顶盘靠近边缘位置设置有多个第二开孔，所述第一开孔和所述第二开孔同轴设置，所述顶针能够沿第一开孔和所述第二开孔的轴向运动以使得位于顶盘上的晶圆上升或者下降； 所述基座上设置有第一加热元件，所述第一加热元件位于所述第二开孔内，所述第一加热元件的顶面不高于所述顶盘的上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯恩(青岛)集成电路有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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